【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中的说明书涉及光刻设备和过程，并且更特定来说，涉及优化光刻过程以用于改进的过程良率和生产量。
技术介绍
1、光刻设备是将所期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。可以举例来说在集成电路（ic）的制造中使用光刻设备。举例来说，智能电话中的ic芯片可以像人的拇指指甲一样小，并且可以包括超过20亿个晶体管。制造ic是复杂并且耗时的过程，其中电路部件在不同层中并且包括数百个单独的步骤。甚至在一个步骤中的误差也具有导致最终ic的问题的可能性，并且可能引起器件失效。缺陷的存在可能影响高过程良率和高晶片生产量。
2、在图案化过程期间的各个步骤处使用量测过程来监测和/或控制过程。举例来说，使用量测过程来测量衬底的一个或更多个特性，例如，在图案化过程或随机变化期间形成在衬底上的特征的相对位置（例如，配准、重叠、对准等）或尺寸（例如，线宽度、临界尺寸（cd）、厚度等），使得举例来说可以从一个或更多个特性确定图案化过程的性能。如果一个或更多个特性是不可接受的（例如，在（多个）特性的预定范围之外），则可以例如基于一个或更多个特性的测量值而设计或...
【技术保护点】
1.一种具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时促使所述计算机执行用于预测在使用光刻设备将目标布局转移到衬底上时的蚀刻后随机变化的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，所述随机变化指示蚀刻后型廓的变化概率。
3.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，所述光刻过程后随机变化指示在光刻过程之后与所述衬底上的抗蚀剂中的所述目标布局相关联的型廓的变化。
4.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，预测所述随机变化包括：
5.根据权利要求1所述的计算机可读介质，进一步包括：p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时促使所述计算机执行用于预测在使用光刻设备将目标布局转移到衬底上时的蚀刻后随机变化的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，所述随机变化指示蚀刻后型廓的变化概率。
3.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，所述光刻过程后随机变化指示在光刻过程之后与所述衬底上的抗蚀剂中的所述目标布局相关联的型廓的变化。
4.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，预测所述随机变化包括：
5.根据权利要求1所述的计算机可读介质，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的计算机可读介质，其中，所述参数包括与基于等离子体浓度的方法的项、子层的图案密度图或平滑因子中的至少一个相关联的系数。
7.根据权利要求5所述的计算机可读介质，其中，获得所述衬底级随机蚀刻偏差包括：
8.根据权利要求1所述的计算机可读介质，其中，通过执行第二随机模型来确定所述光刻过程后随机变化，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王长安，范永发，冯牧，彭意行，曹佩根，M·库伊曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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