【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可显影的抗蚀剂上层膜组合物、以及制造抗蚀剂上层膜图案及抗蚀剂图案的方法。
技术介绍
1、近年来,lsi的高集成化的需求提高,因而寻求抗蚀剂图案的精细化。为了对应此种需求,使用短波长的krf准分子激光、arf准分子激光、极紫外线、x射线、电子线等的光刻工艺正在实用化。
2、为了得到更精细的图案,存在以下方法:在以以往的方法能稳定获得的范围内所形成的抗蚀剂图案上覆盖包含聚合物的组合物,使抗蚀剂图案变粗,使孔径或分离宽度精细化。其主要目的在于使抗蚀剂图案的宽度变粗,一旦将抗蚀剂图案显影后,再施用包含聚合物的组合物。
3、已提出一种抗蚀剂上层膜组合物,能选择性地仅使euv或电子线穿透,阻断来自抗蚀剂的脱气(例如,专利文献1~3)。这些组合物在曝光前被涂布,并未公开使抗蚀剂的膜厚增加。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:wo 2016/013598
7、专利文献2:wo 2014/115843
8、专利文献3:wo 2015/12948
【技术保护点】
1.一种可显影的抗蚀剂上层膜组合物,其包含烃化合物(A)及溶剂(B),
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,X由式(X-1)或式(X-2)表示:
3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,进一步包含由式(c)所表示的含羟基化合物(C):
4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的组合物,其中,溶剂(B)进一步包含溶剂(B2),
5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的组合物,其中,进一步包含酸产生剂(D),
6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的组合物,其实质上不含光致产强酸剂(E),
7.根据
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种可显影的抗蚀剂上层膜组合物,其包含烃化合物(a)及溶剂(b),
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,x由式(x-1)或式(x-2)表示:
3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,进一步包含由式(c)所表示的含羟基化合物(c):
4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的组合物,其中,溶剂(b)进一步包含溶剂(b2),
5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的组合物,其中,进一步包含酸产生剂(d),
6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的组合物,其实质上不含光致产强酸剂(e),
7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的组合物,其中,进一步包含表面活性剂(f),
8.根据权利要求1至7中一项或多项所述的组合物,其中,进一步包含其它添加剂(g),
9.根据权利要求1至8中一项或多项所述的组合物,其中,以所述组合物为基准,烃化合物(a)的含量为0.01~15质量%,
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