一种具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法。将原料CaCO<subgt;3</subgt;、Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;和SiO<subgt;2</subgt;按照化学式为Ca<subgt;2</subgt;Ga<subgt;2</subgt;SiO<subgt;7</subgt;的化学计量比配料，采用高温固相合成法制备。本发明专利技术制备方法简单，制备得到的低介微波介质陶瓷材料的介电常数(ε<subgt;r</subgt;)为8.0～10.5，品质因数(Q×f)为35000～95000 GHz，谐振频率温度系数(τ<subgt;f</subgt;)为–3.0 ppm/℃～+3.0 ppm/℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造在微波频率下使用的陶瓷基板、谐振器与滤波器等微波元器件的微波介电陶瓷材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料。

技术介绍

1、微波介质陶瓷指应用于微波频段（300mhz~300ghz，对应的电磁波长为1m~1mm）电路中作为介质材料并完成一定功能作用的陶瓷，被制作成滤波器、谐振器、双工器、介质天线等介质器件，广泛应用于卫星雷达、移动通信和全球定位系统等领域。衡量微波介质材料性能的三个主要指标是介电常数(εr)、品质因数(q×f)和谐振频率温度系数(τf)。随着5g/6g通讯技术的发展，高频和大带宽特性需要更密集的宏微基站来保证信号的全覆盖，这势必给微波介质陶瓷材料与元器件（介质天线、介质滤波器和基板）带来巨大的市场需求。同时通信频率和器件集成度的不断提升，信号延迟现象将愈加明显，系统损耗导致的发热量也显著增加，器件热稳定性逐渐变差，因此迫切需要材料具有低介电常数(εr<15)降低信号延时及材料与电极间的交互耦合损耗、高的品质因数来提高选频特性并降低传输损耗，以及近零的谐振频率温度系数保证微波电路的温度稳定性。但是，绝大多数高 q×本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的化学式为Ca2Ga2SiO7。

2.根据权利要求1所述的具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的介电常数(εr)范围为8.0 ～ 10.5，品质因数(Q×f)的范围为35000 ～ 95000 GHz，谐振频率温度系数(τf)为–3.0 ppm/℃ ～ +3.0 ppm/℃。

3.一种权利要求1-2中任一权利要求所述的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的制备方法包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的低介微...

【技术特征摘要】

1.一种具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的化学式为ca2ga2sio7。

2.根据权利要求1所述的具有本征近零谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的介电常数(εr)范围为8.0 ～ 10.5，品质因数(q×f)的范围为35000 ～ 95000 ghz，谐振频率温度系数(τf)为–3.0 ppm/℃ ～ +3.0 ppm/℃。

3.一种权利要求1-2中任一权利要求所述的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷的制备方法包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述第一次...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洁，唐莹，张子易，方亮，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：