基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器制造技术

本技术公开了基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，包括单面抛光的SrTiO<subgt;3</subgt;衬底，衬底的抛光面分布有单个Hall bar或多个Hall bar，成型Hall bar沿z轴取向，单个Hall bar包括M个周期的交替生长的单层SrRuO<subgt;3</subgt;薄膜和N层SrTiO<subgt;3</subgt;薄膜。可以用于未知磁场的探测，在特定光场下磁探测器灵敏度＞11000Ω/T，可探测磁场范围＞±1T。既可以实现对pT磁场响应的灵敏度，又可以探测大磁场范围。在航空航天中，可以用于高性能导航设备。在医疗，矿藏探测，环境检测等方面也有巨大的应用潜力。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于磁传感器的，特别是涉及基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器。

技术介绍

1、磁探测器是一种用于检测磁场的仪器，在国防、农业、海洋、资源勘探、气象、医疗、科学研究等领域具有广泛的应用。磁探测器有多种类型，包括霍尔传感器、磁电阻传感器和磁电容传感器。其中基于霍尔效应的霍尔传感器是检测磁场的最常用的传感器之一，霍尔效应是指在电导体中通过一定方向的电流时，会在与电流垂直的方向上产生电场。这个电场的方向与磁场方向垂直，其大小与磁场的强度成正比。当磁场的方向或强度发生变化时，电场的大小也会随之变化，从而产生电压信号输出。利用这些电信号可以精确地测量磁场的方向和强度。目前最常用的商用霍尔传感器是基于半导体材料中正常霍尔效应发展的霍尔磁强计，具有功耗低，可靠性高，体积小等优势。然而，传统半导体中的正常霍尔效应对磁场呈线性响应，在弱磁环境下探测精度严重受限。现在有些铁磁材料的反常霍尔电阻也可以做到几十或几百ω，从而达到一个比较大的磁响应。比如cr-doped bi2te3，mgo/cofeb/x/ta/mgo，sio2/fe-pt/sio2等薄膜体系磁响应灵敏度分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：

2.根据权利要求1所述基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：单个周期对应SrRuO3薄膜和N层SrTiO3薄膜生长取向为z轴取向，单个周期由厚度为1个单胞层的SrRuO3薄膜和N个单胞层的SrTiO3薄膜组成。

3.根据权利要求1或2所述基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：N层SrTiO3薄膜对应的N取1～5。

4.根据权利要求1所述基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：Hall bar为纳米级别大小。

【技术特征摘要】

1.基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：

2.根据权利要求1所述基于二维铁磁材料的极弱磁霍尔传感器，其特征在于：单个周期对应srruo3薄膜和n层srtio3薄膜生长取向为z轴取向，单个周期由厚度为1个单胞层的srruo3薄膜和n个单胞层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖昭亮，邓志雄，洪宇昊，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：新型
国别省市：