无水六方甲酸铟及制备方法技术

本项发明专利技术涉及无水六方甲酸铟及制备方法。目的是提供一种纯净单一物相的有机铟化合物作为半导体材料氧化铟纳米粒子制备的前驱体。无水六方甲酸铟：六方晶系，ａ＝ｂ＝１２．５４２２＊，ｃ＝６．９１４６＊，空间群：Ｐ６（３）。产品经过Ｘ射线单晶衍射仪测试其结构确认为三维配位聚合物，Ｘ射线粉末衍射测试表明产品为单一纯相。无水六方甲酸铟热分解可得到纳米三氧化二铟。

【技术实现步骤摘要】

本项专利技术涉及。无水六方甲酸铟经文献检索为新化合物，是热分解制备In2O3纳米粒子的前驱体。无水六方甲酸铟制备方法包括(1)碳酸铟与甲酸反应制备法和(2)硝酸铟与甲酸反应制备法两种。
技术介绍
In2O3是一种十分有应用前景的半导体材料，纳米尺寸In2O3更是在光电纳米器件、传感器等方面具有广阔的应用前景。而In2O3纳米粒子的制备方法就包括含铟有机化合物热分解法，比如无水乙酸铟热分解法。很显然，无水甲酸铟同样是热分解法制备In2O3纳米粒子前驱体，然而由于纯净的无水甲酸铟，尤其是纯净的无水六方晶态甲酸铟目前尚未见报道，由甲酸铟热分解制备In2O3纳米粒子的方法也同样未见报道。
技术实现思路
本项专利技术目的是提供一种纯相的无水六方甲酸铟及其制备方法。无水六方甲酸铟分子式为In(CHOO)3的无色针状晶体，晶体参数六方晶系，a＝b＝12.5422，c＝6.9146，空间群为P6(3)。单晶结构分析表明，无水六方甲酸铟是由六配位的In3+与甲酸根形成的三维配位聚合物。附图说明图1是实际测得的XRD衍射图和由单晶结构数据模拟的XRD衍射图，图2是无水六方甲酸铟的分子结构图。具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组成为［Ｉｎ（ＨＣＯＯ）↓［３］］六方晶态无水甲酸铟（ａ＝ｂ＝１２．５４２２＊，ｃ＝６．９１４６＊，空间群：Ｐ６（３）），其结构特征是甲酸根与金属铟形成三维配位聚合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田运齐，
申请(专利权)人：辽宁师范大学，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]