一种晶胞结构驱动管的版图布局方法及结构技术

本发明专利技术公开了晶胞结构驱动管的版图布局方法，包括：S1、根据LAYOUT DRC RULE和晶体管图层信息，确定衬底/阱的接触类型及尺寸；S2、根据LAYOUT DRC RULE、晶体管图层信息和衬底/阱接触类型信息，确定接触孔的通孔类型及边长；S3、根据LAYOUT DRC RULE、晶胞结构驱动管和衬底/阱接触尺寸信息，创建晶体管阵列单元及阵列；S4、根据阵列单元、衬底/阱接触类型及接触尺寸信息，创建PICKUP RING接触单元；S5、根据接触孔的通孔类型及边长信息，在PICKUP RING接触单元上创建接触通孔。本发明专利技术还公开了晶胞结构驱动管的版图布局结构，包括阵列单元、PICKUP RING接触单元和接触通孔。本发明专利技术有效降低晶体管衬底/阱寄生电阻，提高了晶胞结构驱动管的抗闩锁性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管版图设计，具体地说涉及一种晶胞结构驱动管的版图布局方法及结构。

技术介绍

1、cmos(complementary metal oxide semiconductor)工艺中，闩锁效应是一个在实际设计中需要避免的寄生效应之一。cmos晶体管的预防闩锁原理是保证良好的衬底/阱接触，常规的操作方法是给cmos晶体管添加衬底/阱接触，n/p型与电源/地连接。在靠近cmos晶体管的位置添加衬底/阱接触可使衬底/阱的寄生电阻相对较小，从而更好的避免发生闩锁效应。

2、通常情况下，按照设计规则添加衬底接触可以有效避免闩锁效应，但在某些情况下，即使添加了衬底/阱接触也无法避免电路进入闩锁状态。例如，对于设计要求的大尺寸驱动管布局，为节省面积，通常只在晶胞结构驱动管的最外围设计衬底/阱接触，此驱动管中心区域与衬底/阱的纵向和横向距离较大时，产生的衬底/阱寄生电阻也会比较大，根据闩锁效应原理可知，较大的衬底/阱电阻会使电路更加容易发生闩锁并进入闩锁状态，从而无法满足更高的抗闩锁要求。

技术实现思路

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述S1进一步包括：

3.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述S1中，所述晶体管图层信息用于确定各个图层之间的关系，所述晶体管图层信息至少包括图层编号和图层位置。

4.如权利要求2所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述S2进一步包括：

5.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述S3中，所述阵列单元(201)需要根据晶胞结构驱动管的具体尺寸以及实际...

【技术特征摘要】

1.一种晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述s1进一步包括：

3.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述s1中，所述晶体管图层信息用于确定各个图层之间的关系，所述晶体管图层信息至少包括图层编号和图层位置。

4.如权利要求2所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述s2进一步包括：

5.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述s3中，所述阵列单元(201)需要根据晶胞结构驱动管的具体尺寸以及实际版图选择的阵列布局来确定，进一步包括：

6.如权利要求1所述的晶胞结构驱动管的版图布局方法，其特征在于，所述s4进一步包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：朱有业，曾珍，黎满文，田静，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：