一种磨削加工方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磨削加工领域，特别涉及一种磨削加工方法及装置。一种磨削加工方法，步骤如下：S1：用固态胶膜将待磨削工件固定在磨削台；S11：在过渡板形成固态胶膜；S12：将待磨削工件放置在固态胶膜，使待磨削工件通过固态胶膜固定在过渡板；S13：将过渡板固定在磨床的磨削台。S2：对待磨削工件进行磨削加工。本发明专利技术还涉及一种磨削加工装置，包括磨削机构和打胶机构；打胶机构包括固定在磨削台上的过渡板、向过渡板注入热熔胶流体的施胶枪和对待磨削工件进行加热的加热垫；待磨削工件通过固态胶膜固定在过渡板上，并通过磨削机构进行磨削加工。本发明专利技术的一种磨削加工方法及装置提高了单次磨削加工精度，实现了更好的平面度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磨削加工领域，特别是涉及一种磨削加工方法及装置。

技术介绍

1、半导体信息技术的发展对载体材料的平面化提出了极高的要求，在集成电路制造中，材料的平面化直接影响到器件的性能和集成度。磨削是一种可实现材料平面化的精密加工方法，通过从工件上去除最少量的材料，以提供精细的光洁度和紧密的尺寸公差。通过精密磨削，可以实现半导体材料的高精度平面化，满足集成电路对材料表面平整度的严格要求，从而推动半导体器件性能的提升和集成度的增加。

2、请参阅图1，其为现有的一种磨削加工装置，包括磨削台1、磨头2、磨削液喷头3和夹紧机构，其中，夹紧机构包括垫块4和滑动块5。磨削台1的上表面为一平面度较高的平面，垫块4被放置在磨削台1的上表面，工件的待磨削面朝上水平放置在垫块4上，两个滑动块5设置在磨削台1的上表面两侧并可在磨削台1上滑动，两个滑动块5向工件滑动以夹紧工件，在进行磨削加工时，磨削液喷头3不断向工件喷出磨削液，通过磨头2在工件的待磨削表面上进行磨削作业。

3、平面度是表征材料表面的平面在所有方向上与理想平面的最大偏差。半导体材料被磨削加工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磨削加工方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磨削加工方法，其特征在于：所述步骤S11和S12之间中还包括步骤：在所述固态胶膜的上表面形成若干沟槽。

3.根据权利要求2所述的磨削加工方法，其特征在于：所述固态胶膜上表面的若干沟槽交错，在固态胶膜上表面形成若干正方形或三角形的接触区。

4.根据权利要求3所述的一种磨削加工方法，其特征在于：所述接触区数量为532~2128个/m²，沟槽宽度为0~5mm，深度为1~5mm。

5.根据权利要求3或4所述的磨削加工方法，其特征在于：所述步骤S11中，所述过渡板的上表面设有容...

【技术特征摘要】

1.一种磨削加工方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磨削加工方法，其特征在于：所述步骤s11和s12之间中还包括步骤：在所述固态胶膜的上表面形成若干沟槽。

3.根据权利要求2所述的磨削加工方法，其特征在于：所述固态胶膜上表面的若干沟槽交错，在固态胶膜上表面形成若干正方形或三角形的接触区。

4.根据权利要求3所述的一种磨削加工方法，其特征在于：所述接触区数量为532~2128个/m²，沟槽宽度为0~5mm，深度为1~5mm。

5.根据权利要求3或4所述的磨削加工方法，其特征在于：所述步骤s11中，所述过渡板的上表面设有容胶槽，将热熔胶流体倒入并铺满所述容胶槽中，冷却后形成所述固态胶膜。

6.根据权利要求5所述的磨削加工方法，其特征在于：所述步骤s12中，加热待磨削工件，使待...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐龙，丁晓罡，陈伟，张诚，徐根，
申请(专利权)人：湖南普照信息材料有限公司，
类型：发明
国别省市：