【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器制备，特别是涉及一种基于混合键合工艺的micro-led显示器及其制备方法。
技术介绍
1、随着显示技术的迅猛进步，micro-led技术作为显示领域的未来之星，凭借其卓越的性能特征——包括高亮度、低功耗、超长寿命以及无与伦比的高对比度，正逐步占据研究与应用的前沿阵地。然而，micro-led显示器件的高性能追求对其制造工艺提出了前所未有的高标准，特别是在芯片与基板之间的精密键合环节，如何有效应对因材料热膨胀系数差异引发的应力集中问题，从而确保器件的结构完整性和长期可靠性，成为了亟待攻克的技术壁垒。
2、当前，micro-led显示器件的键合技术主要包括传统共晶键合法、金属焊接法以及新兴的激光巨量键合法等。尽管这些方法各有其优势，如共晶键合法能实现较强的键合强度，但伴随而来的热应力不匹配问题限制了其长期稳定性；金属焊接法虽能减轻热应力，但其高昂的成本与复杂的工艺流程限制了其广泛应用；激光巨量键合法以其高精度和高效率著称，但高精尖设备的需求与高成本投入同样构成了挑战。
3、聚合物材料，如苯并环丁...
【技术保护点】
1.一种基于混合键合工艺的Micro-LED显示器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于混合键合工艺的Micro-LED显示器的制备方法，其特征在于，所述Micro-LED显示器的基板的制备过程包括：
3.根据权利要求2所述的基于混合键合工艺的Micro-LED显示器的制备方法，其特征在于，所述Ti/Ni/Au共阳极、共阴极的厚度为350nm。
4.根据权利要求2所述的基于混合键合工艺的Micro-LED显示器的制备方法，其特征在于，所述聚合物材料采用苯并环丁烯或聚酰亚胺。
5.一种基于混合键合工艺...
【技术特征摘要】
1.一种基于混合键合工艺的micro-led显示器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于混合键合工艺的micro-led显示器的制备方法，其特征在于，所述micro-led显示器的基板的制备过程包括：
3.根据权利要求2所述的基于混合键合工艺的micro-led显示器的制备方法，其特征在于，所述ti/ni/au共阳极、共阴极的厚度为350nm。
4.根据权利要求2所述的基于混...
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