磁传感器、位置检测装置及透镜模块制造方法及图纸

一种磁传感器，其具备：软磁性结构体，其包含多个磁轭；MR元件，其在多个磁轭的短边方向上与多个磁轭相邻，且构成为检测从多个磁轭产生的磁场。软磁性结构体还包含多个第一附加磁性体及多个第二附加磁性体，上述多个第一附加磁性体及多个第二附加磁性体被配置为在多个磁轭的长边方向上与多个磁轭排列，且被配置为在与短边方向及长边方向分别正交的正交方向上相对于多个磁轭错开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含至少一个磁轭和磁检测元件且构成为检测规定的方向的磁场的磁传感器、以及分别具备该磁传感器的位置检测装置及透镜模块。

技术介绍

1、近年来，磁传感器被用于各种用途。作为磁传感器，已知有使用了设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件的磁传感器。自旋阀型的磁阻效应元件具有：磁化固定层，其具有方向被固定的磁化；自由层，其具有方向可以根据施加磁场的方向变化的磁化；以及间隙层，其配置于磁化固定层和自由层之间。设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件多构成为相对于与基板的面平行的方向的磁场具有灵敏度。

2、另一方面，在包含磁传感器的系统中，有时想通过设置于基板上的磁阻效应元件来检测与基板的面垂直的方向的磁场。作为实现这种想法的磁传感器，已知有一种具备由软磁性体构成的磁轭的磁传感器。磁轭将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场，并将其施加于磁阻效应元件。这种磁传感器例如被记载于中国专利申请公开第114924215a号。

3、中国专利申请公开第114924215a号中公开了一种具备磁场转换部、多个磁阻效应元件、以及配线部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁传感器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，</p>

11.根...

【技术特征摘要】

1.一种磁传感器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：礒田刚大，小林尚史，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：