【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及大功率半导体器件的封装绝缘材料，尤其涉及一种一步法免溶剂制备的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷及硅凝胶。
技术介绍
1、随着全球电力需求的持续增长，大功率电力电子器件，如sic型igbt（绝缘栅双极型晶体管），在现代能源转型和高效电力系统中发挥着关键作用。封装材料对sic型igbt的性能影响重大，不仅要提供机械支撑和保护，还需在高温、高压环境下保持电绝缘性和散热性能，以确保器件的稳定运行和长寿命。因此，对封装材料的性能要求，尤其在耐高温和耐高压性能方面也日益严格。尽管目前市场上已有多种有机硅材料具备良好的耐高温特性，但其耐高压性能仍难以满足实际应用需求。
2、现有技术多采用苯基硅弹性体对大功率半导体器件进行封装，因此如何高效制备具有优异耐高温和耐高压性能的有机硅材料成为研究热点。
3、专利技术cn118185021a中公开了一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体及其制备方法，所述制备方法为：于保护气氛围中，于甲苯中，使八甲基环四硅氧烷和八苯基环四硅氧烷为原料在四甲基氢氧化铵催化下聚合获得甲基苯基聚硅氧烷。同...
【技术保护点】
1.一种一步法免溶剂制备的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷包括以下制备步骤：
2.如权利要求1所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷的质量比为（3～100）：1；
3.如权利要求2所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述催化剂包括四甲基氢氧化铵硅醇盐、四甲基氢氧化铵中的至少一种，催化剂用量为八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷质量总和的0.5～3%。
4.如权利要求1-3任一项所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述分步升温依次包括以下步骤：
5.如...
【技术特征摘要】
1.一种一步法免溶剂制备的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷包括以下制备步骤：
2.如权利要求1所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷的质量比为（3～100）：1；
3.如权利要求2所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述催化剂包括四甲基氢氧化铵硅醇盐、四甲基氢氧化铵中的至少一种，催化剂用量为八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷质量总和的0.5～3%。
4.如权利要求1-3任一项所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，所述分步升温依次包括以下步骤：
5.如权利要求4所述的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷，其特征在于，分步升温过程...
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