【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计制造，特别涉及一种高密度线性电容及其制备方法、图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器主要由像素阵列和读出电路构成，其工作性能不仅与像素阵列的量子效率、光谱响应、噪声、均匀性等有关，还与读出电路的电荷存储、均匀性、线性度、噪声、注入效率等有关。目前，限制图像传感器工作性能的主要因素在于读出电路中的积分电容。积分电容体现了读出电路存储电荷的能力，其电容容量越大，越能够有效提升图像传感器的电荷处理能力，进而能够提升图像传感器的动态范围、信噪比以及灵敏度等性能，提高最终输出的图像质量。
2、然而，目前图像传感器读出电路中采用的积分电容通常为单层mos电容，这种结构的电容密度通常约为5ff/μm2，无法满足应用所需的50~100ff/μm2。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高密度线性电容及其制备方法、图像传感器，以至少解决现有用于图像传感器的电容电容容量较小的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种高密度线性电容的制备方法，
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【技术保护点】
1.一种高密度线性电容的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述基础电容结构为MOS电容、MOM电容、MIM电容或PIP电容。
3.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述功能柱的底部与所述基础电容结构的顶部金属层相接触。
4.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述功能柱的材质为铟或硅。
5.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述在第一区域和第二区域中形成多层堆叠的扩展电容结构的方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高密度线性电容的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述基础电容结构为mos电容、mom电容、mim电容或pip电容。
3.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述功能柱的底部与所述基础电容结构的顶部金属层相接触。
4.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述功能柱的材质为铟或硅。
5.根据权利要求1所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述在第一区域和第二区域中形成多层堆叠的扩展电容结构的方法包括：
6.根据权利要求5所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔之一与所述基础电容结构的顶部金属层相接触；所述第三通孔和所述第四通孔之一与所述基础电容结构的顶部金属层相接触。
7.根据权利要求5所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述第一区域中的导电极板和电介质层的布设结构与所述第二区域中的导电极板和电介质层的布设结构一致。
8.根据权利要求5所述的高密度线性电容的制备方法，其特征在于，所述导电掩膜版包括第一导电掩膜版和第二导电掩膜版，所述交替利用导电掩膜版和介质掩膜版在第一区域和第二区域中自下而上依次交替形成导电极板和电介质层的方法包括：
9.一种高密度线性电容，利用如权利要求1~8...
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