阵列基板和显示面板制造技术

技术编号:43903004 阅读:15 留言:0更新日期:2025-01-03 13:13
本申请公开了一种阵列基板和显示面板,阵列基板包括基底和薄膜晶体管,薄膜晶体管设于基底的一表面,薄膜晶体管包括半导体层、结晶化无机层以及栅极绝缘层,半导体层设于基底的一表面,结晶化无机层设于半导体层远离基底的一表面,栅极绝缘层设于结晶化无机层远离基底的一表面。本申请可以提高TFT器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板和显示面板


技术介绍

1、mini led(mini light emitting diode,次毫米发光二极管)显示面板和microled(micro light emitting diode,微型发光二极管)显示面板在近年进入加速发展阶段,可以使用在中小型、高附加价值的显示应用领域。相较于oled(organic light emittingdiode,有机发光二极管)显示面板,mini led显示面板和micro led显示面板在成本、对比度、高亮度以及轻薄外形上表现出更优越的性能。

2、但在实际产品中,覆盖于半导体层上的栅极绝缘层的膜层致密性较差,且栅极绝缘层的膜层表面的缺陷较多,导致薄膜晶体管的器件稳定性下降。

3、故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种阵列基板和显示面板,以提高薄膜晶体管器件的稳定性。

2、为解决上述问题,本申请的技术方案如下:p>

3、本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层包括:

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述过渡部包括:

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述过渡部的远离所述沟道部的一侧到所述过渡部靠近所述沟道部的一侧的距离处于1微米至1.5微米的范围内;

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二子部远离所述沟道部的一侧到所述第二子部靠近所述沟道部的一侧的距离处于0.5微米至1微米的范围内。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二子部远离所述沟道部的...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层包括:

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述过渡部包括:

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述过渡部的远离所述沟道部的一侧到所述过渡部靠近所述沟道部的一侧的距离处于1微米至1.5微米的范围内;

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二子部远离所述沟道部的一侧到所述第二子部靠近所述沟道部的一侧的距离处于0.5微米至1微米的范围内。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗传宝
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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