一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法技术

技术编号:43901746 阅读:20 留言:0更新日期:2025-01-03 13:13
本发明专利技术提供一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,包括步骤一、碳化硅颗粒的整形;步骤二、机械混合;步骤三、封装;步骤四、真空热除气;步骤五、热等静压处理:将锭坯放入热等静压机中进行热等静压,然后锭坯通过机加工去除铝包套,得到高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料;通过本发明专利技术所述一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,能够优化高导热铝基复合材料的制备工艺,降低颗粒的比表面积,减小复合材料的结合界面面积,降低复合材料的热阻;提高复合材料的导热性能;还能够使得碳化硅颗粒周围应力分别更加均匀、力学性能更好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属基复合材料,具体而言,涉及一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法


技术介绍

1、近年来,为适应电子技术的发展需求,用作热管理材料的高导热、低膨胀金属基复合材料的研究取得了巨大进展。颗粒增强铝基复合材料由于具有铝基体和增强体颗粒轻质、高热导、低膨胀的综合优点,成为未来电子封装材料的理想选择,其中碳化硅颗粒增强铝基复合材料受到广泛的关注。

2、目前,电子封装用碳化硅颗粒增强铝基复合材料主要采用较高的增强体体积分数,以获得高的热导率以及与芯片相匹配的热膨胀系数,但是,碳化硅颗粒易与铝基体发生界面反应,生成棒状或片状a14c3相,由于a14c3热导率低,导致复合界面热导率低,为了解决al/sic存在的严重界面反应,现有专利cn114480942a通过降低材料制备温度以达到减小界面反应的目的,但是由于al和sic的润湿性不好,低温制备的材料复合界面无法形成有效结合,导致材料综合性能差。另一种减少界面处生成al4c3的方法是在sic颗粒表面镀覆其他材料进行表面改性,如镀ni、cu等金属元素,但这些元素也会反应生成其他界面相,其主本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤三中,铝包套的直径为200mm-500mm。

3.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤四中,铝包套加热采用阶梯升温。

4.根据权利要求3所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述阶梯升温的温度段分别为100℃、300℃和500℃。

5.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的...

【技术特征摘要】

1.一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤三中,铝包套的直径为200mm-500mm。

3.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤四中,铝包套加热采用阶梯升温。

4.根据权利要求3所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述阶梯升温的温度段分别为100℃、300℃和500℃。

5.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤四中,铝包套内的真空度在每个温度段都需要达到要求的取值范围。

6.根据权利要求5所述的一种高导热碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,其特征在于,所述铝包套内的真空度取值范围为10-3pa-10...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨云傲王德升李文甫刘国元高源任江毅刘英泽
申请(专利权)人:洛阳船舶材料研究所中国船舶集团有限公司第七二五研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1