一种降低UV衰减的TOPCon电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种降低UV衰减的TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池领域，包括硅基底，在处理后的硅基底正面依次沉积三层氮化硅层/两层氮氧化硅层/一层氧化硅层，形成正面减反射层；在硅基底背面沉积三层氮化硅层，形成背面减反射层。本发明专利技术的有益效果是：通过在硅基底正面设置三层氮化硅层/两层氮氧化硅层/一层氧化硅层作为正面减反射层，颜色稳定性高，能更好的钝化硅基底的表面和减小光的反射，提高了多晶太阳电池的开路电压和短路电流，从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及topcon电池领域，具体而言，涉及一种降低uv衰减的topcon电池及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，高效率低成本的太阳能电池是光伏产业的研究热点之一。topcon太阳能电池是指首先在电池背面制备一层1～2nm的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。然而随着topcon电池的推广，uv衰减又成为光伏电池行业的又一热点。

2、uv暴露会导致topcon太阳能电池中si-h键断裂，氢含量显著下降，空隙密度增加，从而在表面引入更多缺陷，导致表面钝化劣化，从而造成组件衰减。目前，在追求组件高可靠性的前提下，一部分用户选择由组件端封装材料入手，如胶膜、玻璃等，但是对组件成本不够友好。针对这一难题，本专利技术是通过调整正面镀膜工艺来改善uv衰减问题。

3、有鉴于此，本专利技术人针对这一需求展开深入研究，遂有本案产生。

技术实现思路

1、为解决现有技术中topcon电池uv暴露使si-h键断裂，氢含量显著下降，空隙密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低UV衰减的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤六中正面沉积三层氮化硅层，先通入SiH4、NH3流量分别为2000～3000sccm/min、9000～10000sccm/min，反应时间为120～180s，沉积第一氮化硅层；再通入SiH4、NH3流量分别为1600～2000sccm/min、11000～14000sccm/min，反应时间分别为120～180s，沉积第二氮化硅层；最后通入SiH4、NH3流量分别为1000～1500sccm/min、10000～1500...

【技术特征摘要】

1.一种降低uv衰减的topcon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤六中正面沉积三层氮化硅层，先通入sih4、nh3流量分别为2000～3000sccm/min、9000～10000sccm/min，反应时间为120～180s，沉积第一氮化硅层；再通入sih4、nh3流量分别为1600～2000sccm/min、11000～14000sccm/min，反应时间分别为120～180s，沉积第二氮化硅层；最后通入sih4、nh3流量分别为1000～1500sccm/min、10000～15000sccm/min，反应时间为220～280s，沉积第三氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的膜厚为16～20nm，折射率为2.10～2.30％；

4.根据权利要求1所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤六中正面沉积两层氮氧化硅层，依次通入流量比例为sih4:nh3:n2o＝(1000～1100):(4000～5000):(6000～7000)sccm/min、sih4:nh3:n2o＝(800～900):(3000～4000):(8000～9000)sccm/min的反应气体，反应时间为110～130s，在电池表面依次沉积两层膜厚为5～9nm的氮氧化硅膜。

5.根据权利要求1所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤六中正面沉积一层氧化硅层，通入流量比例为nh3:n2o＝(800～1000):(10000～13000)sccm/min的反应气体，反应时间为80～100s，在电池表面再沉积一层折射率为1.5～1.9％，膜厚为4～6mm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：章特，彭国印，何楚勇，武龙飞，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：