【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，以及关于包括有如此之温度调整用流量控制单元的半导体制造装置。
技术介绍
1、在半导体制造中使用的反应离子蚀刻(reactive ion etching：rie)型的电浆处理装置，在将晶圆保持在处理容器内的基座的状态下，将处理气体导入处理容器内，而进行晶圆的蚀刻处理。在蚀刻处理中，在使用复数种的处理气体的时候，对每个处理气体设定不同的处理条件。在此处理条件中也包含了成为处理对象的晶圆的温度，为了使晶圆的温度符合处理条件，而进行控制保持晶圆的基座的温度。
2、在此，作为控制基座的温度的技术，如专利文献1所揭露地，藉由使调温用流体循环于基座而调整基座的温度的温度调整用流量控制单元被知晓。有关如此之习知技术的温度调整用流量控制单元，如图6所示地，调整基座的温度。图6为在有关习知技术的温度调整用流量控制单元中，表示调温用流体的温度与基座的温度的关系的图表。波形c4，为表示在将基座的温度调整为第二温度t12的情况下，用于控制调温用流体的温度的温度控制值。波形w71表示温度调整用流量控制单元朝基座输入的调温用流体的温度变化。波形w81表示基座的温度变化。
3、例如，当为了进行处理气体的切换、使基座的温度从第一温度t11上升至比第一温度t11更仅高δta的第二温度t12为止的情况下，有关习知技术的温度调整用流量控制单元，如图6的波形c4所示地，以指示调温用流体的温度为与第二温
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]日本专利公开第2020-160731号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、有关习知技术的温度调整用流量控制单元，在需要花费时间调整基座的温度这点上有着问题。在此，图7为针对为第一温度t11与第二温度t12的差之δta的每个值、基座的温度到达第二温度t12为止的时间(图6中之从时间点x1至时间点x5为止的时间δxf)而统整的表。例如，δta为30℃，目标温度(第二温度t12)为40℃时的25秒这样的值，意思是在使基座的温度上升30℃而到达40℃时(也就是说，在基座的温度从10℃上升为40℃时)的时间δxf为25秒。尚且，表示δta为30℃与40℃的情况，因为在一般的蚀刻处理的处理条件中，δta为30至40℃的情况较多，所以不过只是例示。
3、在δta为30℃或40℃时，时间δxf如图7所示，为25至48秒。若每次切换处理气体都如此之时间的话，时间对应处理气体的种类或处理条件的数量而累积，而使进行一片的晶圆的蚀刻处理会发生数分钟的损失，而有着半导体制造效率降低的疑虑。
4、本专利技术，有鉴于上述问题，以提供一种可快速进行基座的温度的调整之温度调整用流量控制单元为目的。
5、[解决问题的技术手段]
6、为了解决上述问题，本专利技术的一态样中之温度调整用流量控制单元具有接下来的构成。
7、一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将前述基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，包括输出配管、第一温度测定部、输入配管、控制装置、流体控制部、以及第二温度测定部。前述输出配管，将前述调温用流体朝前述基座输出。前述第一温度测定部，测定从前述输出配管输出的前述调温用流体的温度。前述输入配管，输入从前述输出配管朝前述基座输出、为循环于前述基座的调温用流体的循环后调温用流体。前述控制装置，产生指示从前述输出配管输出的前述调温用流体的温度的温度控制值。前述流体控制部，基于前述温度控制值，调整从前述输出配管输出的前述调温用流体的温度。前述第二温度测定部，测定前述循环后调温用流体的现在温度。前述温度控制值，包含指示比前述第二温度更高的温度的既定的第一温度控制值，以及指示与前述第二温度同样的温度的第二温度控制值。前述流体控制部，在前述现在温度比前述第二温度更低的情况下，直到前述现在温度上升至比前述第二温度更低的既定的阈值为止，藉由前述第一温度控制值，进行调整前述调温用流体的温度的第一调整，以及，直到前述现在温度上升至前述阈值为止时，藉由前述第二温度控制值，进行调整前述调温用流体的温度的第二调整。
8、又，在上述温度调整用流量控制单元中，较佳为，前述第二调整中之前述温度控制值，从前述第一温度控制值至前述第二温度控制值为止逐渐改变。
9、又，在上述温度调整用流量控制单元中，较佳为，前述流体控制部包括低温配管、高温配管、以及线轴阀。前述低温配管，流有用于使前述调温用流体的温度降低的低温流体。前述高温配管，流有用于使前述调温用流体的温度上升的高温流体。前述线轴阀，连接于前述输出配管与前述输入配管与前述低温配管与前述高温配管。藉由前述线轴阀，控制前述循环后调温用流体与前述低温流体与前述高温流体的流量分配比率，且调整从前述输出配管输出的前述调温用流体的温度。
10、又，在上述温度调整用流量控制单元中，较佳为，前述输入配管包括泵。前述泵，使前述调温用流体循环。前述第二温度测定部，被设置于比前述泵更上游侧。
11、又，在上述温度调整用流量控制单元中，较佳为，更包括结合配管，连接前述输入配管与前述基座。前述第二温度测定部，被设置于前述结合配管。
12、上述的温度调整用流量控制单元，藉由第二温度测定部，测定循环后调温用流体的现在温度。循环后调温用流体，因为是循环于基座后的调温用流体，所以此温度，可视同为基座的温度。例如，在反应离子蚀刻型的电浆处理装置中之基座，藉由电浆化的处理气体的影响等，而难以直接测定温度。对此，藉由测定循环于基座后的循环后调温用流体的现在温度，可稳定监测基座的温度。
13、又，上述温度调整用流量控制单元，在循环后调温用流体的现在温度(也就是基座的温度)比第二温度更低的情况下，为了将基座的温度调整为既定的第二温度，藉由使循环后调温用流体的现在温度(基座的温度)上升至比第二温度更低的既定的阈值为止，藉由指示比前述第二温度更高的温度的既定的第一温度控制值，调整调温用流体的温度(第一调整)。于是，基座藉由比第二温度更高的温度的调温用流体被加热，基座的温度从第一温度快速上升至第二温度。然后，在循环后调温用流体的现在温度(基座的温度)上升至阈值为止时，因为藉由指示与第二温度同样的温度的第二温度控制值、调整调温用流体的温度(第二调整)，所以基座的温度可稳定于第二温度。
14、在此，针对既定的第一温度控制值进行说明。第一温度控制值，越设定为比第二温度更高，基座的温度就越快速从第一温度上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将该基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，包括：
2.一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将该基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，包括：
3.根据权利要求1所述的温度调整用流量控制单元，其中，
4.根据权利要求2所述的温度调整用流量控制单元，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的温度调整用流量控制单元，其中，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的温度调整用流量控制单元，其中，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的温度调整用流量控制单元，更包括：
8.一种半导体制造装置，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将该基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，包括：
2.一种温度调整用流量控制单元，藉由使调温用流体循环于半导体制造装置所包括的基座，而将该基座的温度，从既定的第一温度调整为既定的第二温度，包括：
3.根据权利要求1所述的温度调整用流量控制单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木优子，西川桂一，吉田尚史，吉村启佑，片桐卓哉，村上良，
申请(专利权)人：CKD株式会社，
类型：发明
国别省市：
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