一种基于溶液法的COD基有机金属配合物催化的有机半导体N型掺杂方法及其应用技术

本申请涉及化学掺杂领域，具体公开一种基于溶液法的COD基有机金属配合物催化的有机半导体N型掺杂方法及其应用。方法包括步骤：将COD基有机金属配合物、N型有机半导体和N型掺杂剂在基底上混合反应，得到被掺杂的有机半导体。本申请的有机半导体N型掺杂方法通过使用COD基有机金属配合物作为可溶性催化剂，在COD基有机金属配合物中的氯离子解偶联后原位生成活性物质，促进N型掺杂剂中C‑H键断裂，使N型掺杂剂中由于C‑H键断裂产生的H离子与活性物质结合，进而促使N型掺杂剂中的电子转移，并与N型有机半导体配位，以实现有机半导体N型掺杂，显著提高N型掺杂效率，并且克服传统气相沉积方法与印刷电子产品不兼容的问题，广泛适用于电子印刷产品的制备。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及化学掺杂，尤其涉及一种基于溶液法的cod基有机金属配合物催化的有机半导体n型掺杂方法及其应用。

技术介绍

1、有机半导体(organic semiconductor，osc)在薄膜晶体管、发光二极管、太阳能电池和热电等有机电子器件中具有广泛的应用场景。化学掺杂是控制有机半导体中载流子浓度和传输的关键方法，通过对有机半导体进行化学掺杂可以有效提高器件的性能。尽管研究人员在p型(空穴)有机半导体和n型(电子)有机半导体的掺杂工艺方面都做出巨大努力，但由于n型掺杂剂的稳定性有限，掺杂效率低，仍不能满足需求。

2、现有技术中，通过气相沉积的第x/xi族过渡金属纳米粒子作为催化剂，降低n型掺杂剂(如n-dbmi)的氢化物前体的键能解能垒，促进有机半导体的n型掺杂反应。但这种方法是基于气相沉积法对有机半导体进行n型掺杂，与电子印刷产品低温溶液法加工的制备方法不兼容。公布号为cn112993161a的专利中，使用表面具有烷基硫醇增溶基团(f-aunps)的金纳米颗粒作为催化剂促进有机半导体的n型掺杂。该方法虽然可以使用可溶性催化剂，但其掺杂效率较低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于溶液法的COD基有机金属配合物催化的有机半导体N型掺杂方法，其特征在于，包括步骤：将COD基有机金属配合物、N型有机半导体和N型掺杂剂在基底上混合反应，得到被掺杂的N型有机半导体；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型有机半导体包括PO12、PDCNBSe-DPP、N2200中的至少一种，其结构如式I所示：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述COD基有机金属配合物包括Pd(COD)Cl2、Pt(COD)Cl2、[Rh(COD)Cl]2、[Ir(COD)Cl]2中的至少一种，其结构如式II所示：

4.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种基于溶液法的cod基有机金属配合物催化的有机半导体n型掺杂方法，其特征在于，包括步骤：将cod基有机金属配合物、n型有机半导体和n型掺杂剂在基底上混合反应，得到被掺杂的n型有机半导体；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n型有机半导体包括po12、pdcnbse-dpp、n2200中的至少一种，其结构如式i所示：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述cod基有机金属配合物包括pd(cod)cl2、pt(cod)cl2、[rh(cod)cl]2、[ir(cod)cl]2中的至少一种，其结构如式ii所示：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n型掺杂剂包括n-dmbi-h、tam中的至少一种，其结构如式ii所示：

5.根据权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭旭岗，塞尔吉奥·加梅斯·巴伦苏埃拉，冯奎，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：