【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路清洗用超纯水制备，尤其涉及一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺。
技术介绍
1、超纯水是纳米半导体制造工艺与加工品质的重要保障，在半导体生产过程中主要用于产品清洗、药液稀释等环节。近年来，随着半导体器件制程节点的缩小，其生产工艺用水对痕量金属、总有机碳（toc）、全硅、微粒子及溶解氧（do）等指标提出极高的要求。发展先进的超纯水制备工艺以满足半导体尖端制程工艺用水的水质要求，实现多元污染物的联合降除，以达到对于痕量金属、toc、硼（b）、do、h2o2等指标的综合控制，成为了迫切需求。
2、专利技术专利cn115636557b中公开了一种纳米制程集成电路清洗水的制备方法，该方法中，对一次纯水进行深除盐处理，一次纯水经第一混合光解吸收器降解总有机碳并脱除弱离子化杂质，随后通过第一真空膜脱气装置脱去氧气形成二次纯水；对二次纯水进行抛光处理，二次纯水经过催化型混合光解吸收器将痕量金属离子、弱离子化杂质和低分子有机物分别脱除至ppq级、ppt级和ppb级，同时将自由基复合氧化剂控制在亚ppb级。
3、...
【技术保护点】
1.一种超纯水的二阶净化设备，其特征在于，包括依次连接的一阶系统和二阶系统；
2.如权利要求1所述的二阶净化设备，其特征在于，第一处理区中，正电吸附层包括正电荷吸附剂，所述正电荷吸附剂为带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂或混有带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂的混合树脂；络合反应层包括硼吸收剂；离子抛光层包括分别带有碱性基团和酸性基团的混合型离子交换剂；
3.如权利要求2所述的二阶净化设备，其特征在于，第一混合光解吸收器和第二混合光解吸收器的结构相同，包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的二阶净化设备，其特征在于，一阶系统中，除盐单元...
【技术特征摘要】
1.一种超纯水的二阶净化设备，其特征在于，包括依次连接的一阶系统和二阶系统；
2.如权利要求1所述的二阶净化设备，其特征在于，第一处理区中，正电吸附层包括正电荷吸附剂，所述正电荷吸附剂为带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂或混有带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂的混合树脂；络合反应层包括硼吸收剂；离子抛光层包括分别带有碱性基团和酸性基团的混合型离子交换剂；
3.如权利要求2所述的二阶净化设备，其特征在于，第一混合光解吸收器和第二混合光解吸收器的结构相同，包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的二阶净化设备，其特征在于，一阶系统中，除盐单元包括连续电除盐装置、混合离子交换塔、复合离子交换塔中的至少一种；脱气单元包括膜接触脱气装置；
5.如权利要求4所述的二阶净化设备，其特征在于，所述二阶净化设备还包括在线检测单元和控制单元，在线检测单元包括设置于脱气单元出水口的第一取样管、设置于脱气超滤单元出水口的第二取样管以及连接第一取样管和第二取样管的检测装置，控制单元根据检测装置的检测结果分别确定脱气...
【专利技术属性】
技术研发人员：程星华，杨光明，薛佳卉，温鑫，郑伟，刘澈，张峥，周锋，
申请(专利权)人：中国电子工程设计院股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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