一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法技术

本发明专利技术公开一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，包括以下步骤：利用Sentaurus TCAD软件的Sentaurus Process对CMOS器件的前段工艺进行仿真，改变其中Halo离子注入步骤中的工艺参数，得到仿真CMOS器件；然后利用该软件中的Sentaurus Device对仿真CMOS器件的电学性质进行数值求解，得到电学数据；利用工艺参数和电学数据对残差神经网络模型进行训练、验证和测试，优化残差神经网络模型参数，最后得到优化的工艺参数。本发明专利技术方法不仅提升了离子注入工艺参数的优化效率和精度，还通过深度学习算法和TCAD仿真技术的结合，实现了工艺优化的自动化和智能化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法。

技术介绍

1、离子注入技术是一种在20世纪60年代开始发展的半导体掺杂工艺。在集成电路生产制造过程中，许多掺杂工序都采用离子注入技术。例如，在绝缘体上硅衬底(silicon-on-insulator,soi)材料制备工艺中，通常通过高能量、高浓度氧离子注入形成埋氧化层；在集成电路制造中的隔离工序中，为了防止寄生沟道，会采用的沟道截断技术；在调整阈值电压时，采用沟道掺杂；离子注入还用于形成n型和p型mosfet(metal oxide semiconductorfield effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的阱以及源漏区域，进而构成cmos(互补金属氧化物半导体，complementary metal oxide semiconductor)器件；以及对浅结部分的掺杂等。这一系列关键工序都依赖于离子注入技术。

2、然而，传统的cmos离子注入工艺存在诸多局限性。工艺参数的调整和优化通常需要较长的实验周期和较高的测试成本，且离子注入工艺rec本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述工艺参数包括注入角度、注入能量和注入剂量。

3.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述电学数据包括器件阈值电压Vth、亚阈值电压摆幅SS、饱和电流Idsat、漏电流Ioff、最大跨导Gm、线性区电阻Rlin和饱和区电阻Rsat。

4.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述残差神经网络模型采用ResNet18模型。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述工艺参数包括注入角度、注入能量和注入剂量。

3.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述电学数据包括器件阈值电压vth、亚阈值电压摆幅ss、饱和电流idsat、漏电流ioff、最大跨导gm、线性区电阻rlin和饱和区电阻rsat。

4.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，所述残差神经网络模型采用resnet18模型。

5.根据权利要求1所述的优化集成电路离子注入工艺参数的方法，其特征在于，步骤s2具体是基于物理模型对仿真cmos器...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚涛，方文章，马奕涛，綦殿禹，倪东，王春亚，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：