【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请总体上涉及电子设计自动化，更具体地，本申请涉及用于等离子体诱导损伤避免的基于路径的层堆叠连接检查。
技术介绍
1、在用于制造集成电路的设计流程中，集成电路的物理设计可描述特定几何元素，并且通常称为布局设计。通常为多边形的几何元素限定了将在各种材料中产生以制造集成电路的形状。通常，设计者将选择表示电路器件部件的几何元素组，例如触点、栅极等，且将其放置在设计区域中。这些几何元素组可以是定制设计的，选自先前创建的设计库，或两者的某种组合。一旦已经放置表示电路器件部件的几何元素组，则随后根据预定路线在这些几何元素之间放置表示连接线的几何元素。这些线将形成用于互连电子器件的布线。
2、可以以许多不同的格式提供对集成电路的物理设计的描述。图形数据系统ii(graphic data system ii，gdsii)格式是一种用于传送和归档二维(two-dimensional，2d)图形电路布局数据的流行格式。在其它特征中，它包含结构的层次，各个结构包括布局元素(例如多边形、路径或多义线、圆形和文本框)。其它格式包括名为开放存取、mi...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，模拟所述电阻网络还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，提取用于所述受害晶体管和所述攻击晶体管之间的连接的所述电阻网络包括提取耦合到所述受害晶体管的所述阱和所述攻击晶体管的所述阱的共享中间电路。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述共享中间电路包括电流泵电路或衬底中的不同阱中的至少一者，所述电流泵电路耦合在所述攻击晶体管的源极区和所述受害晶体管的源极区之间，所述衬底中的不同阱被耦合为所述攻击晶体管的源极区和所述受害...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，模拟所述电阻网络还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，提取用于所述受害晶体管和所述攻击晶体管之间的连接的所述电阻网络包括提取耦合到所述受害晶体管的所述阱和所述攻击晶体管的所述阱的共享中间电路。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述共享中间电路包括电流泵电路或衬底中的不同阱中的至少一者，所述电流泵电路耦合在所述攻击晶体管的源极区和所述受害晶体管的源极区之间，所述衬底中的不同阱被耦合为所述攻击晶体管的源极区和所述受害晶体管的源极区之间的软连接。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括由所述计算系统将一个或多个连接规则应用于在所述模拟期间确定的所述连接，以确定对所述布局设计的所述部分的制造是否避免了等离子体诱导的损伤。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.一种系统，包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其中，模拟所述电阻网络还包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中，模拟所述电阻网络还包括：
11.根据权利要求8所述的系统，其中，提取用于所述受害晶体管和所述攻击晶体管之间的连接的所述电阻网络包括提取耦合到所述受害晶体管的所述阱和所述攻击晶体管的所述阱的共享中间电路。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述共享中间电路包括电流泵电路或衬底中的不同阱中的至少一者，所述电流泵电路耦合在所述攻击晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·斯里尼瓦桑，李宜庭，凌雷，李聪，
申请(专利权)人：西门子工业软件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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