一种四元钯基硫化物催化剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及催化剂制备技术领域，具体涉及一种四元钯基硫化合物催化剂及其制备方法和应用，所述四元钯基硫化物催化剂化学式为Ag<subgt;2</subgt;PdSn<subgt;3</subgt;S<subgt;8</subgt;，空间群为P2/m，属于单斜晶系，晶胞参数为β＝115.3°，本发明专利技术提出向SnS<subgt;2</subgt;的范德瓦尔斯层间引入贵金属Ag、Pd来构建新型催化剂，利用贵金属Pd元素作为潜在催化活性位点，对与其相连原子的电子态进行调控，利用Ag元素提升体系导电性，通过贵金属和硫属元素的强共价键提升催化剂的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及催化剂制备，具体涉及一种四元钯基硫化物催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

1、研究表明，主族元素层状过渡金属硫属化合物(lmds)的导电性普遍较差，并且往往只有边缘位点是催化的活性位点，导致lmds材料的电催化析氢(her)性能普遍较差。针对这一问题，研究者们也提出了相关的优化策略，如掺杂、缺陷工程、能带结构调控等，以提高现有材料的电催化活性。引入的缺陷具有较高的能量，因此这类催化剂在反应过程中不稳定，因此这些策略大多没办法同时满足增强体系稳定性和提升电催化活性两个要求。

2、sns2作为lmds材料中的一员，具有无毒、元素丰度高、层状结构易调控改性等优点，是极具潜力的电催化材料。sns2的边缘位点表现出半导体性质，因此本征sns2的her性能很差，在电流密度为10ma cmq时过电位超过500mv。通过杂原子掺杂、贵金属负载、复合结构等方法可以提高sns2的her性能。例如，pt修饰的富含缺陷的sns2纳米粒子表现出增强的her活性，在10ma cm-2时过电位为117mv；金属性的1t'-sn0.3w0.7s2在10ma c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种四元钯基硫化物催化剂，其特征在于，所述四元钯基硫化物催化剂化学式为Ag2PdSn3S8，空间群为P2/m，属于单斜晶系，晶胞参数为β＝115.3°，

2.根据权利要求1所述的四元钯基硫化物催化剂，其特征在于，所述四元钯基硫化物催化剂的晶体结构框架由共用S原子的[Ag2PdS8]层和[Sn3S8]层组成，[Ag2PdS8]层由通过[PdS4]平面四边形相连的[AgS6]链构成，[Sn3S8]层由[Sn2S6]二聚四面体与[SnS6]八面体组成，其中，每个[Sn2S6]二聚四面体与四个[SnS6]八面体共顶点连接。

3.根据权利要求1所述的四元钯基硫化物催化剂...

【技术特征摘要】

1.一种四元钯基硫化物催化剂，其特征在于，所述四元钯基硫化物催化剂化学式为ag2pdsn3s8，空间群为p2/m，属于单斜晶系，晶胞参数为β＝115.3°，

2.根据权利要求1所述的四元钯基硫化物催化剂，其特征在于，所述四元钯基硫化物催化剂的晶体结构框架由共用s原子的[ag2pds8]层和[sn3s8]层组成，[ag2pds8]层由通过[pds4]平面四边形相连的[ags6]链构成，[sn3s8]层由[sn2s6]二聚四面体与[sns6]八面体组成，其中，每个[sn2s6]二聚四面体与四个[sns6]八面体共顶点连接。

3.根据权利要求1所述的四元钯基硫化物催化剂，其特征在于，所述四元钯基硫化物催化剂的晶体结构中，sn存在两种配位形式，分别是与s形成四配位三棱锥和六配位八面体，sn-s键的键长在范围内；ag存在一种配位形式，与六个s原子相连形成八面体，ag-s键的键长在范围内。

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【专利技术属性】
技术研发人员：骆梦家，吴桐，
申请(专利权)人：南昌工程学院，
类型：发明
国别省市：