一种一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种一维ScGa<subgt;3</subgt;(ZnO)<subgt;n</subgt;超晶格纳米线及其制备方法，涉及超晶格纳米线制备技术领域。其制备方法包括：将锌源、钪源和镓源溶于有机溶剂中，加入稳定剂，搅拌，陈化，得到ScGa‑ZnO前驱体溶液；通过毛细作用，将ZnO纳米线包覆，烘干，热处理，得到一维ScGa<subgt;3</subgt;(ZnO)<subgt;n</subgt;超晶格纳米线。本发明专利技术采用高温固态扩散技术，巧妙地将微量的Sc和Ga元素融入ZnO一维材料中，从而成功构建了超晶格结构，同时保持了ZnO纳米线的主要基础属性，Sc和Ga元素以近似原子链的形式精细修饰在ZnO纳米线的表面，为材料赋予了新的特性和功能。本发明专利技术解决了现有技术中缺乏过渡元素掺杂超晶格纳米线的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超晶格纳米线制备，具体涉及一种一维scga3(zno)n超晶格纳米线及其制备方法。

技术介绍

1、zno作为宽带隙半导体材料，其显著特点包括卓越的导热性能、低介电常数、高击穿电场以及高电子饱和率，与业界广泛使用的si、gaas、sic和gan材料相比，zno展现出了更为出色的耐辐射性能，这一特性不仅使其能在高温环境中稳定工作，而且极大地增加了其在开发高频大功率、耐高温以及耐辐射半导体器件方面的潜力，因此，zno无疑是一种具有广泛前景的半导体材料。

2、在1968年，美国ibm实验室的杰出科学家l.esaki和r.tsu首次提出了超晶格的概念，这一里程碑式的发现不仅标志着材料科学领域的一大进步，而且引领了全新物理尺度上研究超晶格和量子力学效应的新纪元。超晶格材料是一种特殊的半导体材料结构，它通过精心设计的工艺，将两种或多种具有不同禁带宽度和电子亲和力的半导体材料，以晶格匹配度极高的方式周期性交替生长而成。这种独特的组合方式赋予了超晶格材料一系列独特的物理和化学特性。随后，kasper团队成功制备出in2o3(zno)n(n＝2、5、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，锌源、钪源和镓源中Zn、Sc和Ga的元素摩尔比为1：1：1。

3.根据权利要求1所述的一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，锌源为Zn(CH3COO)2·2H2O；钪源为Sc(NO3)3·2H2O；镓源为Ga(NO3)3·2H2O。

4.根据权利要求1所述的一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，...

【技术特征摘要】

1.一种一维scga3(zno)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一维scga3(zno)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，锌源、钪源和镓源中zn、sc和ga的元素摩尔比为1：1：1。

3.根据权利要求1所述的一维scga3(zno)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，锌源为zn(ch3coo)2·2h2o；钪源为sc(no3)3·2h2o；镓源为ga(no3)3·2h2o。

4.根据权利要求1所述的一维scga3(zno)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，有机溶剂和稳定剂的体积比为1000-5000：1。

5.根据权利要求1所述的一维scga3(zno)n超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，scga-zno前驱体溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宝宝，潘梓鑫，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：