【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光器，尤其涉及一种半导体激光器及其制作方法。
技术介绍
1、半导体激光器是指以一定的半导体材料作为增益介质来产生受激发射作用的器件。半导体激光器具有体积小、耗电量少、寿命长、可快速调制和集成化等优点，在光通信、材料加工等方面有广泛地应用。
2、现有技术中，高功率激光器中，多个巴条通过垂直或水平堆叠的方式组合在一起，以实现更高的输出功率。常规的半导体激光器无论是微通道结构还是宏通道结构，半导体激光器都包括沿同一方向多个交替连接的巴条和过渡热沉。过渡热沉的作用是将每个巴条产生的热量有效地引导至外部冷却系统，从而避免局部过热。
3、在实现本专利技术过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在以下问题：由于巴条和巴条之间存在过渡热沉，它们之间有明显的物理间隙，从各个巴条发射出的光束之间存在暗区，从而影响最终合成的光斑均匀性，同时由于巴条之间的间隔，总的光束宽度会增加，即使总的输出功率不变，也会导致光斑的功率密度下降。
技术实现思路
1、本专利技术旨至少在一定程度...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述陶瓷基板（21）包括从上至下依序连接的上段（211）、中段（212）和下段（213），所述上段（211）沿第一方向的两端面镀有金属层，所述中段（212）的厚度小于所述上段（211）的厚度，相邻的陶瓷基板（21）的所述上段（211）利用所述焊片（12）相连。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述端部热沉（30）在接近所述巴条阵列（10）的内侧端面与所述巴条（11）和所述上段（211）利用所述焊片（12）相连。
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述陶瓷基板（21）包括从上至下依序连接的上段（211）、中段（212）和下段（213），所述上段（211）沿第一方向的两端面镀有金属层，所述中段（212）的厚度小于所述上段（211）的厚度，相邻的陶瓷基板（21）的所述上段（211）利用所述焊片（12）相连。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述端部热沉（30）在接近所述巴条阵列（10）的内侧端面与所述巴条（11）和所述上段（211）利用所述焊片（12）相连。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述电极部（40）上设有至少一个端子连接孔（41），所述电极部（40）与所述底座（60）之间绝缘。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座（60）上设有凹槽（61）...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨林伟，马威，姜笑尘，于振坤，郎超，陈晓华，
申请(专利权)人：北京凯普林光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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