一种精确控制转化速率的驱动电路及其驱动方法技术

本发明专利技术公开了一种精确控制转化速率的驱动电路及其驱动方法，包含逻辑控制模块、驱动模块、功率管Vth补偿模块、辅助驱动模块、电流源I1、电流源I2、PMOS管M3、NMOS管M2、电阻R1、电容C1和功率管M1。逻辑控制模块根据PWM输入信号产生4个控制信号并由4个信号的组合控制驱动模块、辅助驱动模块和功率管Vth补偿模块，功率管Vth补偿模块可以抵消功率管PVT的影响，辅助驱动模块可以快速上升或下降功率管gate电压到Vth，使功率管更快地进入饱和区，此时输出的转化速率参数只与电容和电流大小有关，从而可以精确控制输出上升和下降的转化速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种驱动电路及其驱动方法，特别是一种精确控制转化速率的驱动电路及其驱动方法，属于半导体集成电路。

技术介绍

1、驱动电路是一种根据控制信号pwm驱动功率级晶体管的电路，传统的驱动电路如图9所示，pwm信号经过反相器后直接输入到驱动模块，控制功率管的开启和关断，输出节点的转化速率参数由开关mos管m21、m22，电阻r4、r5以及功率管对gnd的寄生电容大小决定，这些参数收到工艺、电压、温度（pvt）的影响，浮动范围较大。

2、当功率管转化太快时，会有电磁干扰引起的噪声(emi)，功率管转化太慢时，其上升/下降的时间被不必要地延长，使得整个系统响应偏慢，传统的驱动电路就无法兼顾最小化emi和满足一定的上升/下降的时间要求。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种精确控制转化速率的驱动电路及其驱动方法，提高转化速率并降低emi。

2、为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：

3、一种精确控制转化速率的驱动电路，包含逻辑控制模块、驱动模块本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种精确控制转化速率的驱动电路，其特征在于：包含逻辑控制模块、驱动模块、功率管Vth补偿模块、辅助驱动模块、电流源I1、电流源I2、PMOS管M3、NMOS管M2、电阻R1、电容C1和功率管M1，逻辑控制模块的输入端连接PWM输入信号，逻辑控制模块的第一输出端与功率管Vth补偿模块的第二输入端和驱动模块的第二输入端连接并产生控制信号sw，逻辑控制模块的第二输出端与功率管Vth补偿模块的第三输入端、驱动模块的第三输入端、PMOS管M3的栅极和NMOS管M2的栅极连接并产生控制信号swb，逻辑控制模块的第三输出端与辅助驱动模块的第三输入端连接并产生控制信号swb_delay，逻辑控制模块...

【技术特征摘要】

1.一种精确控制转化速率的驱动电路，其特征在于：包含逻辑控制模块、驱动模块、功率管vth补偿模块、辅助驱动模块、电流源i1、电流源i2、pmos管m3、nmos管m2、电阻r1、电容c1和功率管m1，逻辑控制模块的输入端连接pwm输入信号，逻辑控制模块的第一输出端与功率管vth补偿模块的第二输入端和驱动模块的第二输入端连接并产生控制信号sw，逻辑控制模块的第二输出端与功率管vth补偿模块的第三输入端、驱动模块的第三输入端、pmos管m3的栅极和nmos管m2的栅极连接并产生控制信号swb，逻辑控制模块的第三输出端与辅助驱动模块的第三输入端连接并产生控制信号swb_delay，逻辑控制模块的第四输出端与功率管vth补偿模块的第一输入端和辅助驱动模块的第二输入端连接并产生控制信号pulse，pmos管m3的源极与电流源i1的一端连接，电流源i1的另一端连接电源vcc，nmos管m2的源极与电流源i2的一端连接，电流源i2的另一端接地，功率管vth补偿模块的输出端与驱动模块的第一输入端、辅助驱动模块的第一输入端、pmos管m3的漏极、nmos管m2的漏极和电阻r1的一端连接并产生控制信号pre_gate，驱动模块的输出端与辅助驱动模块的输出端和功率管m1的栅极连接并产生控制信号gate，电阻r1的另一端与电容c1的一端连接，电阻c1的另一端与功率管m1的漏极连接并产生输出信号out，功率管m1的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种精确控制转化速率的驱动电路，其特征在于：所述驱动模块包含pmos管m13、pmos管m11、nnmos管m12、nmos管m10和电阻r3，pmos管m13的源极连接电源vcc，pmos管m13的栅极作为驱动模块的第二输入端并连接控制信号sw，pmos管m13的漏极与nmos管m12的漏极连接，nmos管m12的栅极与pmos管m11的栅极连接并作为驱动模块的第一输入端连接控制信号pre_gate，nmos管m12的源极与pmos管m11的源极和电阻r3的一端连接并作为驱动模块的输出端产生控制信号gate，pmos管m11的漏极与nmos管m10的漏极连接，nmos管m10的栅极作为驱动模块的第三输入端并连接控制信号swb，nmos管m10的源极和电阻r3的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的一种精确控制转化速率的驱动电路，其特征在于：所述pmos管m13、pmos管m11、nnmos管m12和nmos管m10构成源跟随结构。

4.根据权利要求1所述的一种精确控制转化速率的驱动电路，其特征在于：所述功率管vth补偿模块包含电流源i3、nmos管m5、nmos管m4、nmos管m8、nmos管m9、nmos管m6和nmos管m7，电流源i3的一端连接电源vcc，电流源i3的另一端与nmos管m5的漏极、nmos管m5的栅极和nmos管m8的漏极连接，nmos管m5的源极与nmos管m4的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：何明怀，沈锦杰，刘羽，庄华龙，
申请(专利权)人：江苏帝奥微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：