【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种led外延片及其制备、led芯片。
技术介绍
1、led芯片是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小等特点，被广泛应用于照明等领域。led芯片由led外延片裂片得到。led外延片是一种固体光源，它是利用半导体p n结制成的发光器件。在正向电流导通时，半导体中的少数载流子(即电子)和多数载流子(即空穴)复合，释放出的能量以光子或部分以光子的形式发射出来。led外延片照明具有高效、节能、环保和使用寿命长等显著优点，已经被广泛应用于路灯、显示屏、室内照明和汽车灯等各个方面。考虑到发光亮度是led外延片竞争力最重要的衡量指标，如何能在现有技术的基础上提升led外延片的亮度，是增加led外延片竞争力的永恒话题。
2、目前，常使用蓝宝石、硅或碳化硅等材料作为衬底。随着应用领域的不断增加，对led芯片亮度的要求也越来越高，如何提升芯片的亮度成为当前最主要的技术难点。而芯片亮度的提升主要靠外延提升，因此外延结构的优化也是当前最为主要的技术手段。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种LED外延片，其特征在于，包括N型半导体层、应力释放层和发光层，所述发光层包括依次设置的第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层和第二多量子阱层均为周期性交叠结构，均包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为GaN层，所述第一多量子阱层中的所述量子阱层的厚度小于所述第二多量子阱层中的所述量子阱层的厚度。
2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数为1-5，所述第一多量子阱层和第二多量子阱层的周期数之和为6-14。
3.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述第...
【技术特征摘要】
1.一种led外延片，其特征在于，包括n型半导体层、应力释放层和发光层，所述发光层包括依次设置的第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层和第二多量子阱层均为周期性交叠结构，均包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为ingan层，所述量子垒层为gan层，所述第一多量子阱层中的所述量子阱层的厚度小于所述第二多量子阱层中的所述量子阱层的厚度。
2.根据权利要求1所述的led外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层的周期数为1-5，所述第一多量子阱层和第二多量子阱层的周期数之和为6-14。
3.根据权利要求2所述的led外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层中的所述量子阱层的厚度与所述第二多量子阱层中的所述量子阱层的厚度之比为82％-97％。
4.根据权利要求1所述的led外延片，其特征在于，单个周期内，所述第二多量子阱层中所述量子阱层的厚度为2nm-4nm，所述量子垒层的厚度为8nm-12nm。
5.根据权利要求1所述的led外延片，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡加辉，刘春杨，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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