半导体存储器件及半导体存储装置制造方法及图纸

本申请提供一种半导体存储器件及半导体存储装置，涉及半导体技术领域。该半导体存储器件包括基底、电容结构、半导体导电层、盖层和多个空隙；电容结构设置在基底上；电容结构包含多个电容；半导体导电层包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖在该电容结构上并直接接触该电容结构；第二部分填充在相邻的电容之间；盖层位于上第一部分上并与第一部分直接接触；盖层朝向半导体导电层的表面具有起伏的表面轮廓，表面轮廓具有波峰和波谷，第一部分延伸至波谷中；至少一空隙位于波谷中的第一部分内。本申请能够降低甚至避免半导体导电层与盖层之间发生分层，提高了半导体存储器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体存储器件及半导体存储装置。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，半导体存储器件例如，动态随机存储器(dynamicrandom access memory，简称为dram)或者静态随机存储器(static random accessmemory，简称为sram)的应用越来越广，已经广泛应用在计算机、通信等领域。

2、相关技术中，半导体存储器件的层叠膜层易发生分层或者断裂，降低了半导体存储器件的性能。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供一种半导体存储器件及半导体存储装置，能够降低甚至避免半导体导电层与盖层之间发生分层，提高了半导体存储器件的性能。

2、为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

3、本申请实施例的第一方面提供一种半导体存储器件，其包括：

4、基底；

5、电容结构，所述电容结构设置在所述基底上；所述电容结构包含多个电容；

6、半导体导电层，所述半导体导电层包括第一部分和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述至少一空隙朝向所述基底的底部，位于相邻所述波峰与所述盖层背离所述基底的表面之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，至少一个所述空隙与所述电容结构背离所述基底的顶面之间具有最小距离D1；

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体存储器件，其特征在于，多个所述空隙间隔设置在所述第一部分内。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体存储器件，其特征在于，多个所述空隙包括第一空隙、第二空隙和第三空隙，所述第三空隙位于所述波谷中的所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述至少一空隙朝向所述基底的底部，位于相邻所述波峰与所述盖层背离所述基底的表面之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，至少一个所述空隙与所述电容结构背离所述基底的顶面之间具有最小距离d1；

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体存储器件，其特征在于，多个所述空隙间隔设置在所述第一部分内。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体存储器件，其特征在于，多个所述空隙包括第一空隙、第二空隙和第三空隙，所述第三空隙位于所述波谷中的所述第一部分内；

6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述盖层指向所述半导体导电层的方向，所述空隙的宽度逐渐减小。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝炳，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：