【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
1、在晶粒制备完成后,会在晶粒表面形成多个凸点,用以采用倒装焊将多个凸点贴装在封装基板上,然后将封装基板连接在印制电路板上,从而完成晶粒封装。
2、当晶粒表面的凸点密度比较高时,上述封装工艺适合高算力芯片封装,但是容易出现对位困难和互联失效问题。
技术实现思路
1、针对上述问题,本申请提供一种半导体封装结构,以在适应高算力芯片封装要求的同时,保证不同晶粒之间的互联可靠性,降低晶粒封装过程中的对位难度。
2、为了达到上述目的,本申请提供一种半导体封装结构,包括封装基板以及多个晶粒,多个晶粒形成在所述封装基板的表面,每个晶粒靠近封装基板的表面具有多个电源凸点和多个信号凸点;
3、上述半导体封装结构还包括形成在封装基板内的至少一组互联走线,相邻两个晶粒具有的多个信号凸点中的部分信号凸点通过对应组互联走线电连接。
4、每个信号凸点传输的电流大于多个电源凸点中任意一个传输的电流,每个电源凸点的径
...【技术保护点】
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括封装基板以及多个晶粒,多个所述晶粒形成在所述封装基板的表面,每个所述晶粒靠近所述封装基板的表面具有多个电源凸点和多个信号凸点;
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,相邻两个所述晶粒之间具有间隙,所述多个信号凸点包括靠近所述间隙的多个第一信号凸点,相邻两个所述晶粒具有的多个第一信号凸点通过对应组所述互联走线电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述多个电源凸点和所述多个第一信号凸点沿着所述晶粒的中心到所述晶粒的边缘的延伸方向分布。
4.根据权利要求2所述的
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括封装基板以及多个晶粒,多个所述晶粒形成在所述封装基板的表面,每个所述晶粒靠近所述封装基板的表面具有多个电源凸点和多个信号凸点;
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,相邻两个所述晶粒之间具有间隙,所述多个信号凸点包括靠近所述间隙的多个第一信号凸点,相邻两个所述晶粒具有的多个第一信号凸点通过对应组所述互联走线电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述多个电源凸点和所述多个第一信号凸点沿着所述晶粒的中心到所述晶粒的边缘的延伸方向分布。
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,多个所述第一信号凸点沿着所述多个电源凸点的周向方向分布。
5.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述晶粒靠近所述封装基板的表面具有第一区域和环绕第一区域外围的第二区域,所述多个信号凸点还包括多个第二信号凸点;
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,每个所述电源凸点的径向尺寸与所述多个信号凸点中任意一个的径向尺寸的差异大于预设...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺云飞,吴家金,陈宋郊,
申请(专利权)人:飞腾信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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