脑电传感器性能检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种脑电传感器性能检测方法、装置、设备及存储介质，涉及传感器检测技术领域，该方法包括：在脑电传感器的电极对胶对胶连接后，对电极对进行直流通电，确定直流失调电压、不稳定性峰值电压和两端变化电压；对电极对进行交流通电，确定交流阻抗和极化电动势；根据直流失调电压、不稳定性峰值电压、两端变化电压、交流阻抗和极化电动势与预设标准进行对比，确定性能检测结果。由于本申请通过直流通电和交流通电，测试直流失调电压、不稳定性峰值电压、两端变化电压、交流阻抗和极化电动势，避免了传统的电极性能单一功能检测致使脑电信号出现偏差的情况，从而解决了脑电传感器电极性能和安全的问题，保证了脑电信号的信号质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及传感器检测，尤其涉及一种脑电传感器性能检测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、脑电信号作为一种至关重要的生物电信号，在多个关键领域都发挥着不可替代的作用。而在进行脑电信号测量的过程中，心电监护环节的准确性和可靠性至关重要。现在临床上使用的脑电电极大都为一次性脑电电极片，电极和导联线作为直接与人体接触并采集信号的关键部件，须保证其性能良好，因此需对其进行性能检测。

2、但是，传统的性能检测一般是单一功能检测，而电极使用过程中存在直流失调电压、复合失调不稳定性、除颤过载等问题，这些问题会致使脑电信号出现偏差或失真，还会降低脑电传感器电极使用的安全性。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供了一种脑电传感器性能检测方法、装置、设备及存储介质，旨在解决由于电极使用过程中存在多种问题，传统的电极性能检测一般是单一功能检测，会致使脑电信号出现偏差或失真，还会降低脑电传感器电极使用的安全性的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请提出一种脑电传感器性能检测方法，所述的方法包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种脑电传感器性能检测方法，其特征在于，所述的方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定直流通电过程中的直流失调电压的步骤，包括：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在对所述电极对进行直流通电后，记录通电时间的步骤之后，还包括：

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，确定直流通电过程中的两端变化电压的步骤，包括：

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述确定交流通电过程中的交流阻抗的步骤，包括：

6.如权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，确定交流通电过程中的极化电动势的...

【技术特征摘要】

1.一种脑电传感器性能检测方法，其特征在于，所述的方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定直流通电过程中的直流失调电压的步骤，包括：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在对所述电极对进行直流通电后，记录通电时间的步骤之后，还包括：

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，确定直流通电过程中的两端变化电压的步骤，包括：

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述确定交流通电过程中的交流阻抗的步骤，包括：

6.如权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，确定交流通电过程中的极化电动势的步骤，包括：

7.一种脑电传感器性能...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭丹，梁前，
申请(专利权)人：深圳美格尔生物医疗集团有限公司，
类型：发明
国别省市：