【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及雪崩能量测试,具体是一种功率器件的雪崩能量测试电路及测试方法。
技术介绍
1、宽禁带半导体器件(如sic mosfet)因其高开关速度、低导通损耗、耐高温高压等优异的电气特性,常用于新能源发电、电动汽车、航空航天、通信电源及智能电网等领域。sic mosfet作为压控型开关器件,在感性、容性和阻性负载系统中都得到广泛应用:在感性负载电力电子系统中,器件突然关断,其电感电压会因电流的快速变化而产生过电压,使器件进入雪崩状态;而在容性或阻性负载的电力电子系统中,器件突然关断后负载两端不会产生过压。测试出功率器件所能承受的最大雪崩能量及重复雪崩次数,对于在不同电压等级的感性负载系统中如何选择合适额定电压的功率器件具有指导作用。器件开始雪崩后结温会升至500k~700k,为精确测试出重复脉冲雪崩使用次数,需在每个脉冲周期结束后待器件恢复至常温再进行下次测试,排除温度因素对重复脉冲雪崩能量测试的影响。然而器件雪崩结束后因电感与寄生电容影响,其雪崩电压及雪崩电流会存在几百微秒的震荡,无法通过温敏电参数法测出器件降温曲线,进而导致每个周
...【技术保护点】
1.一种功率器件的雪崩能量测试电路,其特征在于,该电路包括电流震荡抑制电路、恒流源电路,其中,电流震荡抑制电路包含直流电源(VDD)、常开开关(Q1)、电感(L)、常闭开关(Q2)、二极管(D1)、待测器件(DUT1)、第一脉冲信号发生器(VG)、栅极电阻(RG);直流电源(VDD)的正输出端与常开开关的集电极相连,常开开关的发射极与与电感(L)的一端相连;电感(L)的另一端与待测器件漏极相连,待测器件源极与直流电源(VDD)的负输入端相连;二极管(D1)的阴极与常开开关(Q1)的发射极和电感(L)的连接点相连,二极管(D1)的阳极与常闭开关(Q2)的发射极相连,常闭
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件的雪崩能量测试电路,其特征在于,该电路包括电流震荡抑制电路、恒流源电路,其中,电流震荡抑制电路包含直流电源(vdd)、常开开关(q1)、电感(l)、常闭开关(q2)、二极管(d1)、待测器件(dut1)、第一脉冲信号发生器(vg)、栅极电阻(rg);直流电源(vdd)的正输出端与常开开关的集电极相连,常开开关的发射极与与电感(l)的一端相连;电感(l)的另一端与待测器件漏极相连,待测器件源极与直流电源(vdd)的负输入端相连;二极管(d1)的阴极与常开开关(q1)的发射极和电感(l)的连接点相连,二极管(d1)的阳极与常闭开关(q2)的发射极相连,常闭开关(q2)的集电极与电感(l)和待测器件漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛振,连豪,康建龙,焦超群,明磊,
申请(专利权)人:河北工业大学,
类型:发明
国别省市:
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