一种三相半桥电路拓扑功率模块制造技术

本说明书实施例主要涉及功率模块技术领域，具体为一种三相半桥电路拓扑功率模块，包括：绝缘板，以及设置在绝缘板上的第一相半桥电路结构、第二相半桥电路结构和第三相半桥电路结构；第一相半桥电路结构包括第一上桥臂电路结构和第一下桥臂电路结构；第一上桥臂电路结构包括：第一金属层区域一，设置在绝缘板上；第一金属层区域二，设置在绝缘板上并沿Y向与第一金属层区域一相邻设置；第一金属层区域三，设置在绝缘板上并沿Y向与第一金属层区域二相邻设置。本说明书实施例的功率模块，半相桥电路连接结构在绝缘板上对折并紧挨设置，该设置能够大幅降低功率模块中的寄生电感，使得功率模块开关瞬态的电压尖峰降低，进而使得功率模块的开关速度更快。

【技术实现步骤摘要】

本说明书实施例主要涉及功率模块，具体为一种三相半桥电路拓扑功率模块。

技术介绍

1、碳化硅芯片具有开关频率高、开关损耗小的特性，在功率模块中被广泛应用。对于三相半桥电路拓扑结构的功率模块，如果模块结构设置不合理，即便采用碳化硅芯片也很难充分发挥碳化硅芯片高速开关和高频工作的性能优势。

2、如何优化设置模块结构，以使得采用碳化硅芯片的三相半桥电路结构的功率模块能够充分实现高速开关和高频工作的特性是目前亟需解决的技术难题。

技术实现思路

1、本说明书实施例针对现有技术存在的问题，提出了一种功率模块，通过优化设置模块结构，使得采用碳化硅芯片的三相半桥电路拓扑结构的功率模块能够充分实现高速开关和高频工作的性能优势。

2、在第一方面，本说明书实施例提供了一种功率模块，包括：绝缘板，以及设置在所述绝缘板上并且沿着x方向依次布局的第一相半桥电路结构、第二相半桥电路结构和第三相半桥电路结构；以及设置在所述绝缘板上的温敏电阻，其中：

3、所述第一相半桥电路结构包括：第一金属层区域一、设置在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，包括：绝缘板（1），以及设置在所述绝缘板（1）上并且沿着X方向依次布局的第一相半桥电路结构、第二相半桥电路结构和第三相半桥电路结构；以及设置在所述绝缘板（1）上的温敏电阻（4），其中：

2.根据权利要求1所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第一相半桥电路结构还包括：

3.根据权利要求2所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第一金属层区域二（111）沿X向呈长条状设置，所述第一金属层区域三（112）沿X向呈长条状设置；或者

4.根据权利要求1所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，包括：绝缘板（1），以及设置在所述绝缘板（1）上并且沿着x方向依次布局的第一相半桥电路结构、第二相半桥电路结构和第三相半桥电路结构；以及设置在所述绝缘板（1）上的温敏电阻（4），其中：

2.根据权利要求1所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第一相半桥电路结构还包括：

3.根据权利要求2所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第一金属层区域二（111）沿x向呈长条状设置，所述第一金属层区域三（112）沿x向呈长条状设置；或者

4.根据权利要求1所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第二相半桥电路结构包括第二上桥臂电路结构和第二下桥臂电路结构；

5.根据权利要求4所述的三相半桥电路拓扑功率模块，其特征在于，所述第二相半桥电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张茂盛，郑晓彬，陶月高，李桢，
申请(专利权)人：浙江芯塔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：