【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压力检测,具体为一种温度压力传感器。
技术介绍
1、压力传感器是用于测量环境或介质的压强的传感器,目前多通过mems(微机电系统)来实现,即通过半导体硅的压阻效应来测量压力。其中,硅芯体的中部设置为设膜片状,两侧对硅膜片施加的压力使硅膜片上的掺杂电阻的阻值发生变化,数个电阻连接组成的测量电路输出的电流或电压信号则可通过调理电路进一步处理后对外输出测量结果。当硅芯片内在膜片一侧设置有有真空腔时所测压力即为另一侧所施加的压力相对于真空的压力,即绝对压力;当膜片一侧引入大气压力时,所测压力即为相对于大气的压力,即表压;当膜片两侧分别引入其他压力时,所测压力为两侧压力之差,即差压。在另外的一些传感器中,还可集成有温度敏感元件以同时测量介质的压力和温度。
2、温度敏感元件在电连接至基板上时,因温度敏感元件的导电端子未固定,在生产加工时,速度较慢,且在振动的工况下,导电端子与基板之间容易松动脱落,导致无法检测温度,也有采用导线将温度敏感元件与基板电连接的情况,但是导线较软,也不便于定位,生产加工速度也较慢。
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...【技术保护点】
1.一种温度压力传感器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述定位结构包括第一定位槽口,所述第一定位槽口竖直开设在让位孔的内壁上,所述第一段卡设于所述第一定位槽口内。
3.如权利要求2所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述第一定位槽口为V形,其宽度朝远离所述让位孔的一侧逐渐缩小。
4.如权利要求1所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述定位结构包括嵌设于让位孔内的一卡环,所述卡环顶面设有顶块,所述顶块的顶端设有横向延伸的第二定位槽口,所述第二段卡设于所述第二定位槽口内。
5.
...【技术特征摘要】
1.一种温度压力传感器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述定位结构包括第一定位槽口,所述第一定位槽口竖直开设在让位孔的内壁上,所述第一段卡设于所述第一定位槽口内。
3.如权利要求2所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述第一定位槽口为v形,其宽度朝远离所述让位孔的一侧逐渐缩小。
4.如权利要求1所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述定位结构包括嵌设于让位孔内的一卡环,所述卡环顶面设有顶块,所述顶块的顶端设有横向延伸的第二定位槽口,所述第二段卡设于所述第二定位槽口内。
5.如权利要求1所述的一种温度压力传感器,其特征在于,所述壳体还包括从上至下依次固定并围成所述安装腔的端钮、筒壳和压力接头,所述端钮上设有多个连接端子,所述连接端子的一端伸入所述安装腔内并通过一导电螺旋弹簧电连接至处理电路,所述筒壳内设有用于保持所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小平,曹万,杨军,吴林,
申请(专利权)人:武汉飞恩微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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