改善漏电的发光二极管和制品制造技术

本公开提供了一种改善漏电的发光二极管和制品，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和透明导电层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层具有露出第一半导体层的第一通孔，所述透明导电层位于所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面，且所述透明导电层具有露出第一通孔的第二通孔；所述透明导电层的侧壁至所述外延层侧壁之间最短距离，大于所述第二通孔的侧壁至所述第一通孔的侧壁之间最短距离。本公开实施例能改善刻蚀切割道时出现光罩偏离，导致刻蚀偏离的问题，防止发光二极管轻易出现漏电和短路的问题。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善漏电的发光二极管和制品。

技术介绍

1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)是常见的制品。led通常是在衬底上制造各种膜层并进行图形化处理后，并进行切割形成的一颗一颗的led芯粒。

2、相关技术中，制品通常包括：蓝宝石衬底、外延层和透明导电层。外延层和透明导电层依次层叠在蓝宝石衬底上。外延层上设有切割道，在后续工艺中，会按照切割道的分布位置设计相应尺寸的掩膜版，沿着切割道刻蚀外延层，能将外延层分割为多个独立的发光结构。

3、对于垂直结构的发光二极管，在制备完成后，通常会采用激光剥离的方式去除蓝宝石衬底。由于蓝宝石衬底的晶格参数要小于外延层的晶格参数，这就使得生长在蓝宝石衬底上的外延层会受到压应力。当去除蓝宝石衬底后，作用于外延层上的压应力消失，会使外延层的周边边缘在平行于蓝宝石衬底的方向上有一定程度的横向扩展。若仍采用原尺寸的掩膜版刻蚀外延层，则会导致外延层的切割道以外的区域被刻蚀，从而容易出现漏电和短路的问题。

<b>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)和透明导电层(30)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体(23)层，所述第二半导体(23)层具有露出第一半导体层(21)的第一通孔(202)，所述透明导电层(30)位于所述第二半导体(23)层的远离所述第一半导体层(21)的表面，且所述透明导电层(30)具有露出第一通孔(202)的第二通孔(301)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层(30)的侧壁至所述外延层(20)侧壁之间最短距离为15μm至20μm，或者9μm至12μm，且所述...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)和透明导电层(30)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体(23)层，所述第二半导体(23)层具有露出第一半导体层(21)的第一通孔(202)，所述透明导电层(30)位于所述第二半导体(23)层的远离所述第一半导体层(21)的表面，且所述透明导电层(30)具有露出第一通孔(202)的第二通孔(301)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层(30)的侧壁至所述外延层(20)侧壁之间最短距离为15μm至20μm，或者9μm至12μm，且所述第二通孔(301)的侧壁至所述第一通孔(202)的侧壁之间最短距离(l1)为1μm至5μm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括反射层(31)，所述反射层(31)位于所述透明导电层(30)的远离所述外延层(20)的表面上，且所述反射层(31)具有露出第一通孔(202)和第二通孔(301)的第三通孔(311)；所述反射层(31)的侧壁至所述外延层(20)的侧壁之间最短距离，大于所述第三通孔(311)的侧壁至所述第一通孔(202)之间的最短距离。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层(31)的侧壁至所述外延层(20)的侧壁的最短距离为15μm至20μm，或者9μm至12μm，且所述反射层(31)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，王绘凝，宋飞翔，石跃航，张舜，徐义兰，韩艺藩，郝亚磊，张旭东，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：