光学邻近校正方法和通过使用该方法的掩模制造方法技术

本发明专利技术构思提供了能够通过使用单次曝光图案化来实现具有临界间距的图案的光学邻近校正(OPC)方法，以及包括该OPC方法的掩模制造方法。该OPC方法包括：接收要在衬底上形成的目标图案的设计布局；通过对设计布局执行第一OPC来获得OPC图案；获得OPC图案的模拟轮廓；基于OPC图案的模拟轮廓，对在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相邻的线图案的线端执行线端锐化(LES)OPC；切割线图案的线端的一部分；以及对在垂直于第一方向的第二方向上与线端相邻且在第一方向上延伸的另一线图案的侧线执行第二OPC。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及制造掩模的方法，并且更具体地，涉及光学邻近校正(opc)方法和使用opc方法的掩模制造方法。

技术介绍

1、在半导体工艺中，可以执行使用掩模的光刻工艺以在半导体衬底(诸如晶片)上形成图案。掩模可以被简单地定义为图案转移体，其中不透明材料的图案形状形成在透明的基底材料上。简要地描述掩模制造工艺。首先可以设计所需的电路，并且可以设计该电路的布局。然后可以将通过使用opc方法获得的设计数据作为掩模流片(mto)设计数据传送。接下来，可以基于mto设计数据执行掩模数据准备(mdp)操作，并且可以对掩模衬底执行曝光工艺等。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了能够通过使用单次曝光图案化实现具有临界间距的图案的光学邻近校正(opc)方法，以及包括该opc方法的掩模制造方法。

2、另外，由本专利技术构思的技术思想要解决的问题不限于上面提到的那些，并且本领域的普通技术人员可以从下面的描述清楚地理解其它问题。

3、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种光学邻近校正(opc)方法，该方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学邻近校正方法，包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其中，执行所述线端锐化光学邻近校正包括：

3.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其中，

4.根据权利要求3所述的光学邻近校正方法，其中，执行所述线端锐化光学邻近校正使得当通过改变所述线端隆起将所述半径Rb改变为半径Rb’时，所述半径Rb’满足下面的方程式2，

5.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其中，在切割所述至少一个线端的一部分的步骤中，

6.根据权利要求5所述的光学邻近校正方法，其中，所述宽度Dcut是防止所述相邻的线端的隆起桥接余量区域彼...

【技术特征摘要】

1.一种光学邻近校正方法，包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其中，执行所述线端锐化光学邻近校正包括：

3.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其中，

4.根据权利要求3所述的光学邻近校正方法，其中，执行所述线端锐化光学邻近校正使得当通过改变所述线端隆起将所述半径rb改变为半径rb’时，所述半径rb’满足下面的方程式2，

5.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其中，在切割所述至少一个线端的一部分的步骤中，

6.根据权利要求5所述的光学邻近校正方法，其中，所述宽度dcut是防止所述相邻的线端的隆起桥接余量区域彼此重叠的宽度。

7.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其中，

8.根据权利要求7所述的光学邻近校正方法，其中，所述增大的宽度dopc根据所述另一线图案的所述侧线上的段分割中的段的大小而变化。

9.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其中，

10.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其中，当所述目标图案仅使用所述第一光学邻近校正并且包括否则将需要两次或更多次的极紫外曝光工艺的临界线宽时，使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑柄济，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：