UVLED的双层金属反射电极、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法技术

本发明专利技术公开一种UVLED的双层金属反射电极、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法，UVLED的双层金属反射电极包括第一金属反射层、介质层、接触层和第二金属反射层；其中，第二金属反射层、介质层和第一金属反射层沿外延方向排布，介质层将第一金属反射层与第二金属反射层分隔开；第一金属反射层和介质层上设置有容纳接触层的容纳空间，接触层的朝向第二金属反射层的一端与第二金属反射层接触，接触层的背离第二金属反射层的一端与第一金属反射层一起构成一平面。由此，可以形成光的局域增强，增强局域的反射光，减少接触层中GaN对深紫外光的强吸收，且能够对局域反射光进行相位调制，还可以避免漏电，且能够为双层金属反射电极与其他结构连接时实现电气连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明，具体涉及一种uvled的双层金属反射电极、uvled及提高uvled的光提取效率的方法。

技术介绍

1、由于algan基深紫外发光二极管（ultraviolet light emitting diodes，简称uvled）具有禁带连续可调、制备工艺较成熟和生产成本较低等优点，algan基uvled在荧光检测、杀菌消毒、水净化、生物医疗等领域都有重要的应用和广阔的市场前景。

2、然而，目前algan基uvled的光提取效率（light extraction efficiency，简称lee）仍然很低，这主要是由于algan基uvled具有独特的光学偏振特性和较大折射率差导致的界面全反射。而光的界面全反射会限制光的出射，导致光提取效率降低、更多的光被器件材料吸收转化为热能等问题。

3、研究表明，在器件的出射表面刻蚀图形，例如三棱柱、四棱锥、半球等结构，能够有效提高其光提取效率。此外，在对于倒装led结构，在金属反射层构建微纳结构，如纳米颗粒、倾斜反射侧壁等，能够提高散射或反射，从而提高光提取效率。但这些结构通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.UVLED的双层金属反射电极，其特征在于，包括第一金属反射层、介质层、接触层和第二金属反射层；其中，

2.根据权利要求1所述的UVLED的双层金属反射电极，其特征在于，所述第一金属反射层由金属纳米阵列构成；

3.根据权利要求2所述的UVLED的双层金属反射电极，其特征在于，所述第二金属反射层的厚度t1＞100nm；和/或

4.根据权利要求3所述的UVLED的双层金属反射电极，其特征在于，所述第一金属反射层的厚度t2的取值范围为20nm~50nm；和/或

5.根据权利要求4所述的UVLED的双层金属反射电极，其特征在于，所述介质层的厚度g...

【技术特征摘要】

1.uvled的双层金属反射电极，其特征在于，包括第一金属反射层、介质层、接触层和第二金属反射层；其中，

2.根据权利要求1所述的uvled的双层金属反射电极，其特征在于，所述第一金属反射层由金属纳米阵列构成；

3.根据权利要求2所述的uvled的双层金属反射电极，其特征在于，所述第二金属反射层的厚度t1＞100nm；和/或

4.根据权利要求3所述的uvled的双层金属反射电极，其特征在于，所述第一金属反射层的厚度t2的取值范围为20nm~50nm；和/或

5.根据权利要求4所述的uvled的双层金属反射电极，其特征在于，所述介质层的厚度g=h-t2，且所述g=/2ng，其中，ng为所述介质层所选用的材料的有效折射率。

6.根据权利要求1至5任一项所述的uvled的双层金属反射电极，其特征在于，所述第一金属反射层和第二金属反射层两...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭起龙，刘宁炀，王长安，李祈昕，曾昭烩，曹梦，任涵，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：