一种光栅制作方法技术

本发明专利技术涉及一种光栅制作方法，包括：提供晶圆，包括衬底、下波导层、多层量子阱层、上波导层、光栅层和包覆层；在包覆层一侧形成牺牲层，牺牲层的材料为III‑V族材料；在牺牲层一侧形成表面粗糙度为0.1nm～0.3nm的自组装单层膜；在自组装单层膜上形成线宽小于10nm的光栅图形；通过第一湿法刻蚀工艺对牺牲层进行刻蚀，将光栅图形转移至牺牲层；加热去除自组装单层膜；通过第二湿法刻蚀工艺对包覆层进行刻蚀，将光栅图形转移至包覆层；通过第三湿法刻蚀工艺对光栅层进行刻蚀并去除牺牲层，将光栅图形转移至光栅层。本发明专利技术提供的光栅制作方法可以保证光栅图形的均匀性和一致性，从而降低光栅的光学损耗，提高光栅的光学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种光栅制作方法。

技术介绍

1、高速光芯片通常需要在一块芯片上集成各种不同功能不同尺寸的复杂光栅，这些复杂光栅制作的精度要求很高，一般是在几十纳米量级的，而全息曝光技术只能制作周期在200纳米以上的均匀光栅，因此业内通常采用电子束光刻(electron beam lithography，ebl)技术来制作复杂光栅。

2、电子束光刻技术是一种高精度的图案制作技术，它使用聚焦的电子束(ebeam)在光刻胶(也称为抗蚀剂)上直接绘制图案。由于使用的电子束波长极短，因此可以用来制作尺寸低至10nm的极限图形。并且由于电子束光刻是采用直写曝光的方法，无需掩模版，非常适用于制作定制化的复杂光栅。

3、目前业界通常的做法是将普通光刻胶稀释之后用作电子束光刻用的光刻胶。由于光刻胶本身是一种比较粘稠的复杂化合物，稀释后的胶液均匀性和重复性都无法保证。即使能够通过旋涂形成比较薄的胶膜，其分辨率仍然较低，无法精确控制光栅的线宽(线宽指光栅的透光缝隙的宽度)，同时粘附性和表面粗糙度方面都无法满足需求，极大地限制了复杂光栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光栅制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光栅制作方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光栅制作方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的光栅制作方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的光栅制作方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的光栅制作方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的光栅制作方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的光栅制作方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的光栅制作方法，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的光...

【技术特征摘要】

1.一种光栅制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光栅制作方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的光栅制作方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的光栅制作方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的光栅制作方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的光栅制作方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的光栅制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷祥，魏明，李明欣，刘刚，
申请(专利权)人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：