【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可用于例如通过光刻技术制造设备的方法和装置，并且涉及使用光刻技术制造设备的方法。本专利技术更特别地涉及量测传感器和具有这种量测传感器的光刻装置，更特别地还涉及用于这种量测传感器的照射布置。
技术介绍
1、光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以被用于例如集成电路(ic)的制造中。在该实例中，图案形成设备(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要形成在ic的各个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分裸片、一个裸片或若干裸片)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分一般被称为“场”。
2、在复杂设备的制造中，通常许多光刻图案化步骤被执行，从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻装置的性能的关键方面是能够关于在先前层中(通过相同的装置或不同的光刻装置)所铺设的特征正确且准确地放置所施加的图案。出于该目的，衬底被提供有一个或多个对准标记...
【技术保护点】
1.一种用于量测设备的照射模块，包括：
2.根据权利要求1所述的照射模块，其中针对所述测量照射的多个期望波长中的每个期望波长，期望检测条件包括用由所述衍射结构的所述测量产生的想要的衍射阶辐射基本上填充检测数值孔径。
3.根据权利要求2所述的照射模块，其中所述控制器能够操作以：
4.根据权利要求1所述的照射模块，其中期望检测条件包括针对所述测量照射的多个期望波长中的每个期望波长，在检测数值孔径内仅检测由所述衍射结构的所述测量产生的一个或多个想要的衍射阶辐射，并且不检测由所述衍射结构的所述测量产生的任何不想要的衍射阶辐射。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于量测设备的照射模块，包括：
2.根据权利要求1所述的照射模块，其中针对所述测量照射的多个期望波长中的每个期望波长，期望检测条件包括用由所述衍射结构的所述测量产生的想要的衍射阶辐射基本上填充检测数值孔径。
3.根据权利要求2所述的照射模块，其中所述控制器能够操作以：
4.根据权利要求1所述的照射模块，其中期望检测条件包括针对所述测量照射的多个期望波长中的每个期望波长，在检测数值孔径内仅检测由所述衍射结构的所述测量产生的一个或多个想要的衍射阶辐射，并且不检测由所述衍射结构的所述测量产生的任何不想要的衍射阶辐射。
5.根据权利要求4所述的照射模块，其中不想要的所述衍射阶辐射包括高于第一衍射阶的衍射阶辐射。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的照射模块，其中想要的所述衍射阶辐射包括一个或多个第一衍射阶。
7.根据任一前述权利要求所述的照射模块，其中所述控制器能够操作以在所述测量照射的所述束在所述照射角度范围内的单次扫描期间根据所述照射角度改变所述测量照射的所述谱配置。
8.根据权利要求7所述的照射模块，其中所述期望检测条件包括获得针对所述测量的平均感兴趣参数灵敏度幅度，所述平均感兴趣参数灵敏度幅度在0和1之间的标度上大于0.5。
9.根据权利要求8所述的照射模块，其中所述感兴趣参数是套刻。
10.根据权利要求8或9所述的照射模块，其中所述控制器能够操作以控制可配置的所述照射模块和所述光栅光阀模块，以便针对...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·沃纳尔，尹昶植，周子理，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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