【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置。
技术介绍
1、在现代电子制造领域，铝作为一种重要的导电材料被广泛应用于半导体器件和集成电路的制造中，随着电子技术的不断发展，对铝刻蚀、去胶和清洗的工艺要求也越来越高。
2、传统的铝刻蚀、去胶和清洗过程通常是在不同的设备中分别进行，这种方式存在一些明显的弊端，首先，多台设备的使用增加了设备成本和占地面积，其次，在不同设备之间转移工件会增加工艺的复杂性和时间成本，并且还可能引入额外的环境污染风险。
3、因此，有必要提供一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，解决了多台设备的使用增加了设备成本和占地面积。其次，在不同设备之间转移工件会增加工艺的复杂性和时间成本，并且还可能引入额外的环境污染风险的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，包括：>
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【技术保护点】
1.一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述清洗腔体的内部设置有升降座，所述升降座的上方设置有纳米喷嘴，所述纳米喷嘴的顶部和边侧分别设置有清洗液加注口和氮气加注口。
3.根据权利要求2所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述升降座的表面设置有真空吸盘，所述真空吸盘的表面分别设置有多个吸附孔和顶针。
4.根据权利要求1所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述上料区的上方设置有出料盒，所述出料盒顶部的一侧设
...【技术特征摘要】
1.一种用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述清洗腔体的内部设置有升降座，所述升降座的上方设置有纳米喷嘴，所述纳米喷嘴的顶部和边侧分别设置有清洗液加注口和氮气加注口。
3.根据权利要求2所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述升降座的表面设置有真空吸盘，所述真空吸盘的表面分别设置有多个吸附孔和顶针。
4.根据权利要求1所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述上料区的上方设置有出料盒，所述出料盒顶部的一侧设置有储存盒。
5.根据权利要求4所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述储存盒与所述出料盒之间开设有出料孔，所述出料盒底部的左侧开设有下料口。
6.根据权利要求4所述的用于铝刻蚀去胶清洗一体化的新型装置，其特征在于，所述出料盒内部的一侧设置有推动装置，所述推动装置包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘筱，韩兴，张国伟，曹宇明，陈局，
申请(专利权)人：陕西电子芯业时代科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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