本发明专利技术公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域；选择一种金属，制备标准试样；将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，加热，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数Ｔ１，随后将标准试样冷却；设定升温速率，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数Ｔ０；将标准试样放置在其他待测区域内，设定升温速率，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。本发明专利技术将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于校对设备温度均匀性
，特别涉及一种校对真空设备温度均匀性的方法。
技术介绍
对于加热状态下制备大尺寸材料而言，温度参数的可重复性、准确性以及大面积范围内温度均匀具有重要意义。通常通过在大面积范围内改变热电偶位置来测量设备温度的均匀性。但操作过程中很难保持热电偶位置可重复，因此这种温度均匀性测量方法本身会不可避免的引进较大误差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。 —种校对真空设备温度均匀性的方法，其特征在于，该方法步骤如下， (1)将测温区划分成小区域； (2)选择一种金属，制备直径为5 10mm、厚度为0. 5 lmm的标准试样； (3)将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，背底真空达到5. 0X10—3Pa时，以20 40°C /s的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却； (4)设定升温速率，先以20 40°C/s的升温速率升温至T1以下3(TC，然后以rc /s的升温速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数TO ; (5)将标准试样放置在划分的其他区域内，重复步骤(4)，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。 所述金属包括锌、铝、铅或镧。 本专利技术的有益效果为本专利技术将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。附图说明 图1是测温区划分成小区域。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明 实施例1 —种校对真空设备温度均匀性的方法，该方法步骤如下， (1)将测温区划分成小区域，如图1所示； (2)选择纯度为99. 9%的铸态Al做为标准试样原材料，标准试样尺寸直径9为5mm、厚度为1mm ; (3)将标准试样放置在加热器中待测区域23内，抽真空，背底真空达到 5.0X10—卞a(可以避免标样表面因氧化或氮化对试验结果产生影B向，并可以避免气压变化 对熔点的影响)时，以20°C /s的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察 到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1 = 73(TC，随后将标准试样冷却； (4)设定升温速率，先以20°C /s的升温速率升温至70(TC，然后以1°C /s的升温 速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数TO = 721°C (通过缓慢升 温避免升温速率不同造成标样熔化温度不同)； (5)将标准试样放置在其他待测区域内，重复步骤(4)，读取热电偶读数，读数值 如表1所示，得到设备温度偏差为5°C。 实施例2 —种校对真空设备温度均匀性的方法，该方法步骤如下， (1)将测温区划分成小区域，如图1所示； (2)选择纯度为99. 9 %的铸态Zn做为标准试样原材料，标准试样尺寸直径9为 5mm、厚度为lmm ; (3)将标准试样放置在加热器中待测区域23内，抽真空，背底真空达到 5.0X10—卞a(可以避免标样表面因氧化或氮化对试验结果产生影B向，并可以避免气压变化 对熔点的影响)时，以20°C /s的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察 到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1 = 488t:，随后将标准试样冷却； (4)设定升温速率，先以20°C /s的升温速率升温至458t:，然后以1°C /s的升温 速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数TO = 480°C (通过缓慢升 温避免升温速率不同造成标样熔化温度不同)； (5)将标准试样放置在划分的其他待测区域内，重复步骤(4)，读取热电偶读数， 读数值如表1所示，得到设备温度偏差为5°C。 表1检测区域温度读数测量位置Zn标准试样Al标准试样1480 °C720 °C483 °C722 °C9485 。C725 。C13481 °C721 °C19482 。C723 °C23480 °C721 °C27484 。C723 。C31482 °C721 °C权利要求，其特征在于，该方法步骤如下，(1)将测温区划分成小区域；(2)选择一种金属，制备直径为5～10mm、厚度为0.5～1mm的标准试样；(3)将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，背底真空达到5.0×10-3Pa时，以20～40℃/s的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；(4)设定升温速率，先以20～40℃/s的升温速率升温至T1以下30℃，然后以1℃/s的升温速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；(5)将标准试样放置在划分的其他区域内，重复步骤(4)，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述金 属包括锌、铝、铅或镧。全文摘要本专利技术公开了属于校对设备温度均匀性
的。将测温区划分成小区域；选择一种金属，制备标准试样；将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，加热，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；设定升温速率，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；将标准试样放置在其他待测区域内，设定升温速率，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。本专利技术将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。文档编号G01K7/02GK101762340SQ20081024654公开日2010年6月30日 申请日期2008年12月25日 优先权日2008年12月25日专利技术者古宏伟, 屈飞, 杜风贞, 杨发强 申请人:北京有色金属研究总院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种校对真空设备温度均匀性的方法，其特征在于，该方法步骤如下，（１）将测温区划分成小区域；（２）选择一种金属，制备直径为５～１０ｍｍ、厚度为０．５～１ｍｍ的标准试样；（３）将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，背底真空达到５．０×１０↑［－３］Ｐａ时，以２０～４０℃／ｓ的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数Ｔ１，随后将标准试样冷却；（４）设定升温速率，先以２０～４０℃／ｓ的升温速率升温至Ｔ１以下３０℃，然后以１℃／ｓ的升温速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数Ｔ０；（５）将标准试样放置在划分的其他区域内，重复步骤（４），读取热电偶读数，得到设备温度偏差。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：古宏伟，屈飞，杨发强，杜风贞，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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