一种高纯铜溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种高纯铜溅射靶材及其制备方法。该靶材包括以下组成成分：Fe 1～4ppm，P 1～2ppm，O 1～5ppm，余量为Cu和不可避免的杂质元素。该靶材由以下步骤制备，包括：S1、制备电解铜坯料；S2、采用木炭覆盖坯料，熔化，保温，制得铜液；S3、将铜液进行半连续铸造，得到半连续铸锭；S4、加热后，进行热轧工艺及后续处理，得到高纯铜溅射靶材。本发明专利技术通过将氧含量控制在5ppm以下，协同控制铸造温度、铸造速度和冷却水量，加热温度、轧制道次和关键道次的变形等，不仅确保了溅射靶材的纯度，还获得了内部疏松、缩孔少的铸坯，获得了组织细小、均匀且硬度适中的溅射靶材，从而满足集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等领域的需要。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜材加工的，尤其涉及一种高纯铜溅射靶材及其制备方法。

技术介绍

1、高纯铜溅射靶材是一种关键的电子材料，广泛应用于集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等领域，尤其是在集成电路制造中，高纯铜溅射靶材在金属化工艺中扮演着重要角色，其质量和性能对于集成电路制造和其他高技术产业至关重要。随着集成电路技术的发展，对高纯铜溅射靶材的纯度和微观组织控制提出了更高的要求。除了在半导体领域的应用，高纯铜溅射靶材还应用于玻璃镀膜领域和耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。随着相关产业规模的不断扩大，对高纯金属及合金溅射靶材的需求也在持续增加。

2、在集成电路制造业中，高纯铜溅射靶材主要用于制作互连线、阻挡层、通孔、接触层、金属栅以及润湿层、黏结层、抗氧化层等薄膜。这些材料的应用对于集成电路的性能和可靠性起着至关重要的作用。随着电子信息产业技术的不断进步和发展，对高纯铜溅射靶材的纯度、微观结构和性能的要求也在不断提高。然而，现有技术在制备高纯铜溅射靶材的过程中，存在着晶粒尺寸过大、组织分布不均，杂质含量过高、氧含量过高以及硬度无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯铜溅射靶材，其特征在于，所述靶材，按质量含量计，包括以下组成成分：Fe1～4ppm，P 1～2ppm，O 1～5ppm，余量为Cu和不可避免的杂质元素；

2.如权利要求1所述的高纯铜溅射靶材，其特征在于，所述靶材的平均晶粒尺寸为20～40μm；所述靶材的平均晶粒尺寸的标准差不超过4μm，且呈正态分布。

3.一种制备如权利要求1或2所述的高纯铜溅射靶材的方法，其特征在于，所述方法，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，S1中，所述预热温度为300～400℃，所述温度冷却至90～100℃，所述电解铜坯料的纯度不低于99.99％...

【技术特征摘要】

1.一种高纯铜溅射靶材，其特征在于，所述靶材，按质量含量计，包括以下组成成分：fe1～4ppm，p 1～2ppm，o 1～5ppm，余量为cu和不可避免的杂质元素；

2.如权利要求1所述的高纯铜溅射靶材，其特征在于，所述靶材的平均晶粒尺寸为20～40μm；所述靶材的平均晶粒尺寸的标准差不超过4μm，且呈正态分布。

3.一种制备如权利要求1或2所述的高纯铜溅射靶材的方法，其特征在于，所述方法，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，s1中，所述预热温度为300～400℃，所述温度冷却至90～100℃，所述电解铜坯料的纯度不低于99.99％。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，s2中，所述木炭覆盖厚度为150～250mm，所述保温温度为1200～1230℃。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凌志，赵智勇，陈忠平，向朝建，童维玉，马文，方禹，王兴，胡涛，潘菲，李小飞，
申请(专利权)人：中铜华中铜业有限公司，
类型：发明
国别省市：