一种异质结太阳能电池的制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。本发明专利技术的太阳能电池的制备方法包括在硅衬底的一侧制备至少一层第一钝化层、至少一层n型掺杂层和至少一层第一透明导电层，在硅衬底的另一侧制备至少一层第二钝化层、至少一层p型掺杂层和至少一层第二透明导电层，并且，第一透明导电层和第二透明导电层的至少一层是由氧化镉形成，且通过等离子体蒸发沉积法沉积氧化镉，通过等离子体蒸发沉积氧化镉无需高温，并且元素被离化的更充分，制备的薄膜的迁移率更高，电池的转换效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池。

技术介绍

1、异质结电池是光伏领域的新热点，具有高开路电压，高转换效率，低的温度系数等诸多优点。

2、目前在异质结电池上制备方法可描述为：硅片经过制绒形成金字塔状绒面，清洗流程去除表面杂质，等离子体增强气相化学沉积流程(简称pecvd)在硅片上下两个表面分别沉积非晶硅薄膜，磁控溅射(简称pvd)在硅片上下两个表面沉积70-90nm第一透明导电层(tco)和第二透明导电层，沉积透明导电薄膜后，对电池进行丝网印刷或铜电镀，用以制备金属电极。

3、目前，常用的异质结电池的第一透明导电层和第二透明导电层材料为氧化铟基材料(简称ito或vtto)，制备透明导电材料的方法为磁控溅射，制备的ito材料的迁移率在20-80cm2/v·s。由于铟基材料中的铟是稀有金属，储量有限。另外为了减低电池成本，也有少数异质结电池使用的氧化锌基材料，如氧化锌掺铝(简称azo)或氧化锡基材料，比如钽掺杂氧化锡(简称tto)。但是，氧化锌和氧化锡基的tco材料性能偏差，制备的薄膜迁移率偏低，很本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池的制备方法...

【技术特征摘要】

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的异质结太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，赵宇，李强，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：