一种片上硫系倒脊型光波导及其Bragg光栅制备方法技术

本发明专利技术涉及硫系光子学技术领域，公开了一种片上硫系倒脊型光波导及其Bragg光栅制备方法，该片上硫系倒脊型光波导包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层，波导层包括横向的平板层和纵向的脊部，平板层和脊部一体化成型，并呈T型；波导层的脊部嵌入衬底层中，形成倒脊型光波导结构；其中，所述波导层采用As<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;，衬底层采用SiO<subgt;2</subgt;；所述波导层上的Bragg光栅，为利用443nm波长带隙光作为曝光源，从波导层的平板层的表面照射，在波导层的脊部刻写形成。本发明专利技术通过在倒置结构的亚微米片上硫系脊型光波导上制备Bragg光栅，具有亚微米尺寸、光谱性能更优良的特点，能够满足集成光子器件对于小型化、集成化、高效化的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硫系光子学，特别是涉及一种片上硫系倒脊型光波导及其bragg光栅制备方法。

技术介绍

1、硫系光子学已成为当前国际上光子功能器件研究和开发最活跃的前沿领域之一，其集成光子器件近年来在集成光子器件研究领域备受关注，在光信息处理芯片和系统应用方面体现出多谱段、低阈值和多功能集成的优势，可实现超连续光谱、布里渊散射、波长转换等作用。硫系玻璃是以硫族元素s、se、te为基，结合as、sb、ge、ga等其他元素后制成的，具有高线性折射率和极高的非线性折射率、超快的非线性响应、宽广的红外透射窗口等优良光学特性，是一种新型的近中红外波段集成光子器件基质材料。硫系光波导是硫系集成光子器件芯片的关键基础，其构建为线性器件，可用于近中红外波段的光传输及红外传感等方面；而构建为非线性器件，具有高出石英玻璃102～103倍的光学非线性系数，且由于硫系玻璃有较高的弹光系数(是硅材料的10倍)、极其优秀的声学模式约束能力、光通信波段极低的双光子吸收系数和无自由载流子效应而表现出非线性损耗低等优点，在实现高增益受激布里渊散射方面有着广泛应用。

<p>2、基于硫系光波本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种片上硫系倒脊型光波导，包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层，其特征在于，所述波导层包括横向的平板层和纵向的脊部，所述平板层和脊部一体化成型，并呈T型；所述波导层的脊部嵌入所述衬底层中，形成倒脊型光波导结构；

2.根据权利要求1所述的片上硫系倒脊型光波导，其特征在于，所述导波层的脊部的脊高H为950nm、脊宽W为1500nm，脊深h为800nm。

3.一种如上述权利要求1-2中任一项所述的片上硫系倒脊型光波导的Bragg光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的片上硫系倒脊型光波导的Bragg光栅制备方法，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种片上硫系倒脊型光波导，包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层，其特征在于，所述波导层包括横向的平板层和纵向的脊部，所述平板层和脊部一体化成型，并呈t型；所述波导层的脊部嵌入所述衬底层中，形成倒脊型光波导结构；

2.根据权利要求1所述的片上硫系倒脊型光波导，其特征在于，所述导波层的脊部的脊高h为950nm、脊宽w为1500nm，脊深h为800nm。

3.一种如上述权利要求1-2中任一项所述的片上硫系倒脊型光波导的bragg光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的片上硫系倒脊型光波导的bragg光栅制备方法，其特征在于，所述s1中，设定厚度为1.8μm。

5.根据权利要求3所述的片上硫系倒脊型光波导的bragg光栅制备方法，其特征在于，所述s4中，sagnac干涉仪组成的光栅写入系统包括：写入激光光源、扩束准直组、衰减器、光圈、电子快门、柱面透镜、±1衍射级相位掩膜板、两个反射镜、遮光模板、波导芯片夹持具、光谱监测系统，所述波导芯片夹持具用于夹持片上硫系倒脊型光波导；

6.根据权利要求5所述的片上硫系倒脊型光波导的bragg光栅制备方法，其特征在于，所述柱面...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹林儿，胡海，章玉峰，周云飞，商俊杰，彭玉发，沈云，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：