一种高温pin紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高温pin紫外探测器，属于微电子技术领域，包括自下而上层叠设置的4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC外延层的两侧通过刻蚀形成呈倾角台面结构；4H‑SiC接触层的中间刻蚀有若干倒梯形沟槽；器件的整个上表面覆盖有钝化层；P型和N型欧姆接触金属分别设置在倾角台面结构的下台面和上台面；且P型和N型欧姆接触金属的上方设置有金属Pad；金属Pad和P/N型欧姆接触金属之间还设有扩散阻挡层。该结构设计提升了欧姆接触的热稳定性以及在高温环境下的寿命，从而提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子，具体涉及一种高温pin紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

1、紫外探测是一种常用的分析技术，广泛应用于光通信、火焰检测、燃烧监测、化学分析、天文学等诸多领域。在这些应用中，大部分都需要能够在高温恶劣环境中工作的紫外仪器。近十年来，宽带隙半导体已成为光电子领域最具吸引力的材料。它们的宽带隙和固有特性推动了可靠光电探测器的发展，可以在高温区域(高达300℃)选择性地检测短波长(即紫外线，uv)。

2、4h-sic材料的禁带宽度为3.26ev，这直接决定了4h-sic器件的高温工作能力。相比于si和gaas，4h-sic具有更宽的禁带宽度，这使得4h-sic的本征载流子浓度更低。低本征载流子浓度意味着4h-sic基器件在高温环境工作时拥有更低的漏电流。4h-sic的最高工作温度可达1000℃。

3、常见的紫外探测器主要有光电导型光电探测器、金属-半导体-金属光电探测器、肖特基、p-n和p-i-n结光电探测器等。其中，pin由于制备工艺简单，漏电低，更适合用于高温应用。高温紫外线检测仪器发展的主要驱动力是对工业、汽车、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高温pin紫外探测器，其特征在于，包括4H-SiC衬底(1)、4H-SiC外延层(2)、4H-SiC吸收层(3)、4H-SiC接触层(4)、钝化层(5)、P型欧姆接触金属(6)、N型欧姆接触金属(7)、金属Pad(8)以及扩散阻挡层(9)；

2.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述4H-SiC衬底(1)为n+掺杂；

3.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述倒梯形沟槽的深度为0.2-0.4μm，宽度为1-2μm。

4.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述钝化层(5)采用...

【技术特征摘要】

1.一种高温pin紫外探测器，其特征在于，包括4h-sic衬底(1)、4h-sic外延层(2)、4h-sic吸收层(3)、4h-sic接触层(4)、钝化层(5)、p型欧姆接触金属(6)、n型欧姆接触金属(7)、金属pad(8)以及扩散阻挡层(9)；

2.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述4h-sic衬底(1)为n+掺杂；

3.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述倒梯形沟槽的深度为0.2-0.4μm，宽度为1-2μm。

4.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述钝化层(5)采用sio2/sinx复合层，其厚度为20-30nm。

5.根据权利要求1所述的一种高温pin紫外探测器，其特征在于，所述金属pad(8)的材料为tasi...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丰羽，龚志鹏，袁昊，宋庆文，周瑜，汤晓燕，韩超，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：