【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种肖特基二极管及其制造方法。
技术介绍
1、在高压大功率应用领域中，肖特基势垒二极管由于正向压降低，拥有更低的通态损耗，同时作为单极型器件，无少子存储和反向恢复现象，开关频率更高。但其肖特基势垒高度低，反向漏电较大，耐压能力较差，抗浪涌能力差。为了降低反向漏电，提升耐压和抗浪涌能力，发展出通过引入p+(第一掺杂浓度的铝离子)掺杂区，在反向耐压时形成耗尽区屏蔽肖特基区电场，进而降低反向漏电流，提升耐压能力。例如，碳化硅结势垒肖特基二极管(sic jbs)和碳化硅混合pin/肖特基二极管(sic mps)等。
2、sic mps二极管为双极型器件，在低正向偏置电压下处于单极工作模式，此时压降即为器件正向单极导通压降。当正向偏置电压升高，二极管中p+区导通，器件进入双极工作模式，向漂移层内注入少数载流子空穴，触发电导调制，导通电阻下降。在高正向偏置电压下，为使二极管更快速的进入双极工作模式，需要降低单双极转换的节点电压值即正向双极导通压降。但是，当前普遍通过增大p+区面积占比、增大p+区结深、采用...
【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第三掺杂区(4)分布于所述第一表面区域(101)沿所述第一方向的两侧。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，沿所述第一表面区域(101)的第一方向上，所述第三掺杂区(4)与所述第二掺杂区(3)形成接触，且所述第二掺杂区(3)与所述第一掺杂区(2)形成接触。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二掺杂区(3)沿所述第一表面区域(101)的第二方向间隔设置，其中，所述第一方向和所述第二方向相互
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【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第三掺杂区(4)分布于所述第一表面区域(101)沿所述第一方向的两侧。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，沿所述第一表面区域(101)的第一方向上，所述第三掺杂区(4)与所述第二掺杂区(3)形成接触，且所述第二掺杂区(3)与所述第一掺杂区(2)形成接触。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二掺杂区(3)沿所述第一表面区域(101)的第二方向间隔设置，其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二掺杂区(3)沿所述第一表面区域(101)的第二方向的分布间距在3μm～12μm之间。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一掺杂区(2)的结深均大于所述第二掺杂区(3)的结深。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一掺杂区(2)在所述第一方向上的第一宽度在1μm～3μm之间。
8.根据权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭华溢，谢梓翔，廖勇波，李春艳，马颖江，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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