【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,更具体地,涉及一种ldmos晶体管。
技术介绍
1、ldmos(laterally diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)晶体管,由于具有具备高击穿电压,与cmos工艺兼容的特性,被广泛作为功率器件用于功率集成电路中。随着集成度的增加和工艺线宽的减小,ldmos中的寄生晶体管的开启为器件失效的重要机理,大大减小了器件的可靠性。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种ldmos晶体管,以解决现有技术存在的问题。
2、根据本专利技术的第一方面,提供一种ldmos晶体管,包括:阱区;第二掺杂类型的体区,从所述阱区的上表面延伸至所述阱区的内部;第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的体接触区,从所述体区的上表面延伸至其内部;第一掺杂类型的漏区,位于所述阱区中;以及源极,与所述体接触区和所述源区接触;其中,所述体接触区的结深大于所述源区的结深。
3、优选地,所述体接触区至少包围所述源区
...【技术保护点】
1.一种LDMOS晶体管,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管,其特征在于,所述体接触区至少包围所述源区的部分下表面。
3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管,其特征在于,所述源极位于所述源区和所述体接触区的上表面上。
4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管,其特征在于,所述源极从所述体接触区的上表面延伸至所述体接触区的内部。
5.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管,其特征在于,所述源极在所述体接触区中延伸的深度大于所述源区的结深。
6.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管,其特
...【技术特征摘要】
1.一种ldmos晶体管,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述体接触区至少包围所述源区的部分下表面。
3.根据权利要求1所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述源极位于所述源区和所述体接触区的上表面上。
4.根据权利要求1所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述源极从所述体接触区的上表面延伸至所述体接触区的内部。
5.根据权利要求4所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述源极在所述体接触区中延伸的深度大于所述源区的结深。
6.根据权利要求4所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述源极与所述源区的侧表面接触。
7.根据权利要求4所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述源极包括位于所述体接触区中的沟槽以及位于所述沟槽中的导电材料。
8.根据权利要求4所述的ldmos晶体管,其特征在于,所述体接触区沿源区指向漏区的方向的宽度大于所述源极的宽度。
9.根据权利要求1所述的ldmos晶体管,其特征在于,还包括:
10.根据权利要求9所述的ldmos晶体管,其特征在于,还包括:
11.根据权利要求9所述的ldmos晶体管,其特征在于,还包括位于所述阱区中第一掺杂类型的漂移区,所述漂移区至少位于所述耐压层的下方。...
【专利技术属性】
技术研发人员:喻慧,蔡军,
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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