【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件或管芯，并且更具体地但不排他地，涉及保护这些器件或管芯以减少或甚至消除破碎，并涉及这些器件或管芯的制造技术。
技术介绍
1、当晶圆(例如，硅(si)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)等)被切割成单个管芯时，破碎和/或开裂是大问题。用于将晶圆分割或切割成单个管芯的各种切割技术(例如，机械切割、激光切割、隐形切割、等离子切割等)具有工艺差异。这些差异在管芯中造成正面和/或背面破碎。
2、这种破碎/开裂导致有用管芯的产率降低。因此，需要解决在将晶圆分割或切割成单个管芯时的破碎和开裂问题的系统、装置和方法，包括本文所提供的方法、系统和装置。
技术实现思路
1、以下呈现了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有考虑的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有考虑的方面和/或示例相关的关键性或决定性元素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述的唯一目的是在以下...
【技术保护点】
1.一种器件，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层的材料比所述管芯的边缘部分的材料脆性更小。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层由一种或多种氧化物、一种或多种氮化物、一种或多种金属或它们的任何组合形成。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层包括：
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述保护层还包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述上边缘保护层形成在所述管芯的所有上边缘部分上，所述管芯的所有上边缘和拐角被所述保护层覆盖。
7.根据权利要求5所述的器件...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种器件，所述器件包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层的材料比所述管芯的边缘部分的材料脆性更小。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层由一种或多种氧化物、一种或多种氮化物、一种或多种金属或它们的任何组合形成。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层包括：
5.根据权利要求4所述的器件，其中所述保护层还包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述上边缘保护层形成在所述管芯的所有上边缘部分上，所述管芯的所有上边缘和拐角被所述保护层覆盖。
7.根据权利要求5所述的器件，其中所述侧壁保护层和所述上边缘保护层由相同的材料形成。
8.根据权利要求4所述的器件，其中所述保护层还包括：
9.根据权利要求8所述的器件，其中所述下表面保护层覆盖所述管芯的整个所述下表面，所述管芯的所有下边缘和下拐角被所述保护层覆盖。
10.根据权利要求8所述的器件，其中所述侧壁保护层和所述下表面保护层由相同的材料形成。
11.根据权利要求8所述的器件，其中所述下表面保护层由一种或多种金属形成并且被配置为背面过孔接触件。
12.根据权利要求1所述的器件，其中所述保护层包括：
13.根据权利要求12所述的器件，
14.根据权利要求12所述的器件，其中所述上侧壁保护层和所述下侧壁保护层由相同的材料形成。
15.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件被结合到选自由以下项组成的组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·S·瓦达夫卡尔，C·H·芸，P·A·泰德萨尔，N·朴，D·D·金，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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