一种应用于倒装晶圆制备的n-GaN表面粗化方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种应用于倒装晶圆制备的n‑GaN表面粗化方法及应用，包括：在硅衬底上通过外延生长依次形成AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层，共同组成硅基GaN晶圆；通过金属键合将硅基GaN晶圆与LED晶圆结合在一起，形成倒装晶圆；去除倒装晶圆的硅衬底暴露出AlGaN缓冲层，并对AlGaN缓冲层进行部分刻蚀；在剩余的AlGaN缓冲层上沉积第一刻蚀掩膜层，刻蚀至未掺杂GaN层；在未掺杂GaN层上沉积第二刻蚀掩膜层，刻蚀至N型GaN层完成n‑GaN表面粗化；本发明专利技术的粗化尺寸可控制在纳米级别，有效提高Micro‑LED器件的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微型显示，具体涉及一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法及应用。

技术介绍

1、micro-led技术作为下一代显示技术，因其高亮度、高对比度、快速响应时间和长寿命等优点，逐渐受到广泛关注。然而，micro-led在实际应用中仍面临一些技术挑战，其中之一就是提高光提取效率(lee)。

2、micro-led基于gan材料制造，gan具有较高的折射率，导致其与空气界面处存在较大的折射率差异，产生强烈的全内反射效应，限制了光从芯片内部向外部的传播，从而降低了光提取效率。为了克服这一问题，研究人员提出了多种表面处理技术，其中表面粗化技术因其有效性和可控性成为一种重要的解决方案。

3、表面粗化技术旨在通过在led表面引入微纳米级别的粗糙结构，改变光的传播路径，减小全内反射，提高光的出射效率。目前，常见的表面粗化方法是利用koh溶液湿法刻蚀，其存在腐蚀不均匀，工艺稳定性差，粗化尺寸过大等问题。

技术实现思路

1、技术目的：针对现有技术表面粗化的不足，本专利技术公开了一种应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于倒装晶圆制备的n-GaN表面粗化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-GaN表面粗化方法，其特征在于，通过金属键合将硅基GaN晶圆与LED晶圆结合在一起，形成倒装晶圆包括：

3.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-GaN表面粗化方法，其特征在于，使用ICP刻蚀工艺对AlGaN缓冲层进行部分刻蚀，保留50nm~100nm的AlGaN缓冲层。

4.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-GaN表面粗化方法，其特征在于，第一刻蚀掩膜层的材料为Ni、Al、Ti、ITO、Cr、Al2O3、...

【技术特征摘要】

1.一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法，其特征在于，通过金属键合将硅基gan晶圆与led晶圆结合在一起，形成倒装晶圆包括：

3.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法，其特征在于，使用icp刻蚀工艺对algan缓冲层进行部分刻蚀，保留50nm~100nm的algan缓冲层。

4.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法，其特征在于，第一刻蚀掩膜层的材料为ni、al、ti、ito、cr、al2o3、aln中的一种或几种，厚度范围为10nm~800nm。

5.根据权利要求1所述的一种应用于倒装晶圆制备的n-gan表面粗化方法，其特征在于，使用i...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，彭劲松，宋琦，杨建兵，桑珺周，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：