【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及脉冲激光器及操作脉冲激光器的方法，并且更具体地涉及在极紫外光源的操作方法中的q值切换式种子激光器。
技术介绍
1、半导体行业继续开发凭借其印刷更小的集成电路尺寸的光刻技术。相较于较长波长，使用诸如极紫外（euv）光（有时也被称为软x射线并且通常被限定为具有10纳米和120纳米（nm）之间的波长的电磁辐射）的较短光波长的光能够实现较小特征。
2、当前，euv光刻通常使用处于10纳米至14纳米（nm）的范围内的波长的euv光以在诸如硅晶片的衬底上或中产生小到10 nm或甚至7 nm的特征。为了在商业上有用，期望的是产生这些极小特征的系统是高度可靠的，并且提供有成本效益的生产量及合理的过程宽容度。
3、用于产生euv光的方法包括但未必限于利用在euv范围内的一种或更多种发射谱线将材料转换为等离子体状态，该等离子体状态具有一种或更多种元素，例如，氙、锂、锡、铟、锑、碲、铝等。在经常被称为激光产生等离子体（lpp）的一种此类方法中，可以通过在照射部位处利用激光束照射目标材料，诸如能够产生所要谱线发射的材...
【技术保护点】
1.一种操作激光器的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述激光器产生所述第二脉冲之后，将所述衰减设定成所述第一衰减值。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二值使所述激光器关闭。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：在将所述衰减设定成所述第二衰减值之后且在将所述衰减设定成所述第三衰减值之前，将所述衰减降低至中间衰减值，所述中间衰减值高于所述第三衰减值并且足够低以允许所述激光器产生第二束。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述衰减器包括在所述激光器内或连接到所述激光器的光学调制器。
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种操作激光器的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述激光器产生所述第二脉冲之后，将所述衰减设定成所述第一衰减值。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二值使所述激光器关闭。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：在将所述衰减设定成所述第二衰减值之后且在将所述衰减设定成所述第三衰减值之前，将所述衰减降低至中间衰减值，所述中间衰减值高于所述第三衰减值并且足够低以允许所述激光器产生第二束。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述衰减器包括在所述激光器内或连接到所述激光器的光学调制器。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述衰减器包括在所述激光器内或连接到所述激光器的声光调制器（aom）。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述衰减器包括在所述激光器内或连接到所述激光器的声光调制器（aom），并且其中，设定所述衰减器的所述衰减包括设定供应到所述aom的rf功率水平，增大所述衰减器的所述衰减包括增大供应到所述aom的所述rf功率，并且降低所述衰减器的所述衰减包括降低供应到所述aom的所述rf功率。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述衰减器包括在所述激光器内或连接到所述激光器的电光调制器（eom）。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光器是co2激光器。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光器是极紫外（euv）光源中的种子激光器。
11.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光器是euv光源中的主脉冲种子激光器。
12.如权利要求1所述的方法，其中，将所述衰减设定成所述第二衰减值包括：将所述衰减设定成所述第二衰减值并使所述衰减处于所述第二衰减值持续在100纳秒至1000纳秒（ns）的范围内的时间。
13.如权利要求1所述的方法，其中，将所述衰减设定成所述中间衰减值包括：将所述衰减设定成所述中间衰减值并使所述衰减处于所述中间衰减值持续在0 ns至300 ns的范围内的时间。
14.如权利要求1所述的方法，其中，将所述衰减设定成所述第三衰减值包括：将所述衰减设定成所述第三值并使所述衰减处于所述第三值持续在400ns至700 ns的范围内的时间段。
15.如权利要求1所述的方法，还包括：监测从所述第一脉冲到所述第一连续束的所述产生的持续时间，以及调整所述激光器的腔长度以使所述持续时间最小化。
16.如权利要求1所述的方法，还包括：监测所述第一脉冲到所述第一连续束的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·J·利本伯格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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