一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管制造技术

本发明专利技术属于高功率微波技术领域的微波源器件，尤其是一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，由二极管结构和永磁体系统组成：二极管结构包括阴极基座、阴极、阳极外筒；永磁体系统包括软磁体、左部第一永磁体、左部第二永磁体、左部第三永磁体和左部第四永磁体，右部第一永磁体、右部第二永磁体、右部第三永磁体和右部第四永磁体以及外层磁轭；整个结构关于中心轴线旋转对称；本发明专利技术设计了梯度匹配永磁磁场，通过加载软磁材料，改变二极管区域的磁场分布，使原本指向永磁体的磁场线在阴极基座位置向下弯折，从而抑制回流电子束向阳极移动；阴极基座采用锥形结构，进一步有效降低阴极基座表面电场强度，从而抑制阴极基座的异常电子发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高功率微波的微波源器件，尤其是一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管。

技术介绍

1、高功率微波（high-power microwave，hpm）通常的定义是频率在0.1-100 ghz内，峰值功率大于100 mw的电磁波。hpm源是指hpm系统中将强流相对论电子束能量转换为微波场能的器件，通常为电真空器件。自上世纪七十年代第一台hpm源产生以来，由于其重要的军事和民用需求，hpm源技术迅速发展。

2、二十一世纪以来，轻小型化、模块化是hpm技术的前沿研究方向。传统高功率微波器件的外加引导磁场通常由通电螺线管线圈产生，然而，通电螺线管线圈及其附属的供能和水冷系统会导致hpm系统体积和能耗的增大，不利于高功率微波系统轻小型化研究。为提高hpm系统的能量利用率并减小系统体积，研究人员提出利用永磁体代替通电螺线管线圈的方法，促进了低磁场永磁封装高功率微波器件的发展。

3、抑制强流二极管存在的电子束回流问题是目前永磁封装器件研究的重要关注点。对于o型高功率微波器件通常所采用的阴极磁沉浸同轴二极管而言，由于外加轴向引导磁场本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，其特征在于：所述永磁封装强流二极管由二极管结构和永磁体系统组成：二极管结构包括阴极基座(301)、阴极(302)、阳极外筒(303)；永磁体系统包括软磁体(304)、左部第一永磁体(305a)、左部第二永磁体(305b)、左部第三永磁体(305c)和左部第四永磁体(305d)，右部第一永磁体(306a)、右部第二永磁体(306b)、右部第三永磁体(306c)和右部第四永磁体(306d)以及外层磁轭(307)；整个结构关于中心轴线旋转对称；

2.一种根据权利要求1所述能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，其特征在于：阴极(301...

【技术特征摘要】

1.一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，其特征在于：所述永磁封装强流二极管由二极管结构和永磁体系统组成：二极管结构包括阴极基座(301)、阴极(302)、阳极外筒(303)；永磁体系统包括软磁体(304)、左部第一永磁体(305a)、左部第二永磁体(305b)、左部第三永磁体(305c)和左部第四永磁体(305d)，右部第一永磁体(306a)、右部第二永磁体(306b)、右部第三永磁体(306c)和右部第四永磁体(306d)以及外层磁轭(307)；整个结构关于中心轴线旋转对称；

2.一种根据权利要求1所述能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，其特征在于：阴极(301)壁厚仅为2 mm。

3.一种根据权利要求1所述能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，其特征在于：阳极外筒(303)使用多个圆柱体通过带密封槽和定位台阶的法兰连接而成。

4.一种根据权利要求1所述能够抑制电子束回...

【专利技术属性】
技术研发人员：党方超，胡晓冬，葛行军，张鹏，黄玥玥，李志敏，张珂嘉，钱宝良，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：