【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池。更具体而言,涉及一种新型铜铁矿半导体量子点cubo2-x材料的制备以及包含以该类材料为空穴传输层的太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、近年来,随着社会经济的迅猛发展,对于能源的需求日益增长,但传统的不可再生能源储量急剧减少,且其使用会引发一系列环境问题。因此,有必要寻找一种代替传统能源的清洁能源。其中,太阳能是众多清洁能源中最为理想的可再生能源,它取之不尽、用之不竭,因此开发利用太阳能对于解决人类社会可持续发展和能源短缺问题具有重要意义。钙钛矿太阳能电池由于具有高吸收系数、长载流子寿命、带隙可调和高载流子迁移率等优异的光电性能,同时其制备工艺简单,所需原料成本低廉,一直是太阳能电池领域的研究热点。钙钛矿太阳能电池主要分为正式(n-i-p)和反式(p-i-n)结构两种,具体包括透明导电玻璃衬底、电子/空穴传输层、钙钛矿吸光层、空穴/电子传输层、金属电极。空穴传输层作为钙钛矿太阳能电池的关键功能层,主要作用是收集并传输空穴,实现电子-空穴有效分离,同时保护钙钛矿层免受外部水、氧、光照的侵蚀,对电池效率及稳定性起
...【技术保护点】
1.一种新型铜铁矿半导体量子点CuBO2-X材料的制备方法,B为Cr、Ga其中的一种,X为F、Cl、Br、I其中的一种,其特征在于:该新型铜铁矿半导体量子点CuBO2-X材料的制备方法包括如下步骤:
2.一种太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池的结构由下至上包括:透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、缓冲层和电极层,所述空穴传输层为新型铜铁矿半导体量子点CuBO2-X材料的薄膜层,所述新型铜铁矿半导体量子点CuBO2-X材料为直径为1~5nm、厚度为1~10 nm的量子点,B为Cr、Ga其中的一种,X为F、Cl、Br、I其中的一种。
【技术特征摘要】
1.一种新型铜铁矿半导体量子点cubo2-x材料的制备方法,b为cr、ga其中的一种,x为f、cl、br、i其中的一种,其特征在于:该新型铜铁矿半导体量子点cubo2-x材料的制备方法包括如下步骤:
2.一种太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池的结构由下至上包括:透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、缓冲层和电极层,所述空穴传输层为新型铜铁矿半导体量子点cubo2-x材料的薄膜层,所述新型铜铁矿半导体量子点cubo2-x材料为直径为1~5nm、厚度为1~10 nm的量子点,b为cr、ga其中的一种,x为f、cl、br、i其中的一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿层为abx3,a=ch3nh3、nh2chnh2、cs或其混合物;b=pb或sn或其混合物;x=i、br、cl、cn、scn或其混...
【专利技术属性】
技术研发人员:张华,王蓉,郭富城,刁计明,梁建飞,赵志修,
申请(专利权)人:安徽大学,
类型:发明
国别省市:
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