【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、随着半导体器件变得更加高度集成，可能期望添加虚设图案来解决在制造半导体器件的工艺中出现的各种问题，例如图案均匀性、蚀刻工艺余量以及层间绝缘层的机械性能的劣化。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种包括设置在端接单元区域中的栅极接触部的半导体器件。
2、然而，本公开的方面不限于本文阐述的内容。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
3、根据本公开的一方面，一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括标准单元区域和至少部分地围绕标准单元区域的端接单元区域；第一有源图案，在标准单元区域中；第一布线，在第一方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅极接触部；第二有源图案，在端接单元区域中；第二布线，在第一方向上延伸并且在第二有源图案上；第二栅电极，在第二方向上延伸并且在第二有源图案上；以及第二栅极接触部。
4、...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极接触部电连接到所述第一栅电极和所述第一布线，并且其中所述第二栅极接触部电连接到所述第二栅电极和所述第二布线。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极接触部和所述第二栅极接触部在所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向上具有相同的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线和所述第二布线不电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极接触部电连接到所述第一栅电极和所述第一布线，并且其中所述第二栅极接触部电连接到所述第二栅电极和所述第二布线。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极接触部和所述第二栅极接触部在所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向上具有相同的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线和所述第二布线不电连接。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述布线与所述电力轨相邻。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：
12...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁全圆，钱钰博，金秀泰，朴载镛，李珍雨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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