【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及集成电路领域，更特别地，本专利技术涉及一种用于互连的装置和封装电路。
技术介绍
1、在2.5d和3d封装技术中，多个集成电路管芯位于同一个封装内。集成电路管芯之间通过d2d(die to die)方式互连。在d2d互连要求低延迟、低功耗和高可靠性。当信号线传输信号时，生成电场和磁场。串扰是指由于信号线产生的电场和磁场的相互作用导致的从一条信号线到相邻信号线的能量耦合。通信频率增高以及信号线间的物理距离减小，串扰可对信号传输产生负面影响。随着互连带宽需求和芯片性能的提升，d2d的io频率和信号线密度随之提升，串扰制约了d2d互连的性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种用于集成电路管芯互连的装置和一种封装电路，减小信号迹线之间的串扰。
2、根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种用于互连的装置。该装置包括：第一信号迹线和第二信号迹线。所述第一信号迹线包括位于基板的第一层的第一部分和位于所述基板的第二层的多个盘状部分，所述第一部分通过导电通孔...
【技术保护点】
1.一种用于互连的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一信号迹线的第一部分和所述第二信号迹线的第一部分沿着第一方向延伸，所述第一信号迹线的多个盘状部分和所述第二信号迹线的多个盘状部分在所述第一方向上交替设置。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一信号迹线的第一部分和所述第二信号迹线的第一部分在物理上接近，从而在传输信号时诱导磁耦合而引起互感。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一信号迹线的多个盘状部分和所述第二信号迹线的多个盘状部分使互电容增大以抵消所述互感。
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种用于互连的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一信号迹线的第一部分和所述第二信号迹线的第一部分沿着第一方向延伸，所述第一信号迹线的多个盘状部分和所述第二信号迹线的多个盘状部分在所述第一方向上交替设置。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一信号迹线的第一部分和所述第二信号迹线的第一部分在物理上接近，从而在传输信号时诱导磁耦合而引起互感。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一信号迹线的多个盘状部分和所述第二信号迹线的多个盘状部分使互电容增大以抵消所述互感。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括多个所述第一信号迹线，所述第一信号迹线的第一部分包括齿状部分，
6.根据权利要求5所述的装置，其中，相邻所述第一信号迹线在物理上接近，从而在传输信号时诱导磁耦合而引起互感，相邻所述第一信号迹线的齿状部分使互电容增大以抵消所述互感，
7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其中，所述第一信号迹线和所述第二信号迹线包括用于高速存储器封装的信号迹线。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：马超，
申请(专利权)人：北京平头哥信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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